电源管理-技术中心-电子元件技术网

电源管理

具有更高效率与优势的碳化硅技术

碳化硅（SiC）技术具有比传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等技术具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度、可靠性和效率。本文将为您介绍SiC的发展趋势与在储能系统（ESS）上的应用，以及由Wolfspeed推出的S...

2023-07-19

碳化硅发展趋势储能系统

PFC电路：死区时间理想值的考量

由于该电路是进行同步整流工作的电路，所以我们通过仿真来探讨高边（HS）和低边（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死区时间理想值，即不直通的最短时间。死区时间可以通过仿真工具的PWM控制器参数TD1（HS）和TD2（LS）来分别设置。

2023-07-18

PFC电路死区时间理想值

了解这些就可以搞懂 IGBT

绝缘栅双极晶体管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件，主要用作电子开关，在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管，将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和...

2023-07-18

工作原理 IGBT

为什么这种USB充电器可以又快又小？

用于锂离子和锂聚合物电池的通用电池充电器与用于随身充电 (OTG) 的 USB 3.0 供电 (PD) 技术一起使用的应用越来越广泛，包括无人机、智能手机、平板电脑、无绳吸尘器、便携式医疗设备、无线扬声器和电子收银机设备。在这些应用中，一直要求设计者减少充电时间和外形尺寸，提高功率密度，并降低成本。

2023-07-17

USB 充电器 FRS

计算DC-DC补偿网络的分步过程

本文旨在帮助设计人员了解DC-DC补偿的工作原理、补偿网络的必要性以及如何使用正确的工具轻松获得有效的结果。该方法使用LTspice®中的一个简单电路，此电路基于电流模式降压转换器的一阶（线性）模型1。使用此电路，无需执行复杂的数学计算即可验证补偿网络值。

2023-07-17

DC-DC 补偿网络计算过程

浅析汽车空气悬架系统中的电机驱动应用

汽车悬架系统可以调节车身的高度、阻尼、刚度，有效提升驾驶的舒适性与操控性，从而让驾驶者在不同的车速、路面条件下有不同的驾驶感受，提高车辆的平顺性和品质感。

2023-07-14

汽车空气悬架电机驱动

按摩椅中的有刷电机驱动

近年来，随着人们健康意识的增强，亚健康、中国老年、商旅办公等人群的扩大，以及智能化按摩椅产品的不断更新升级，具有良好按摩保健功效的按摩椅正逐步获得广大消费者的认可。从电机的种类上来看，有刷电机因其简单的控制方式和优良的转矩控制特性，在调速领域一直占有主导地位。为了提高功率，按...

2023-07-14

按摩椅有刷电机驱动

电池管理系统有助于优化电动汽车性能吗

倒计时已经开始：自动驾驶、电动、互联汽车将在未来几年彻底改变整个汽车行业——这一变化远远超出了网络访问或方向盘和踏板的消失。自动驾驶联网汽车将带我们进入一个更高效、更经济、更清洁、更环保的新交通时代，锂离子（Li-ion）电池和电池管理系统将成为电动汽车（e-mobility）的关键。

2023-07-13

电池管理系统电动汽车

安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 静态特性分析

SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件...

2023-07-13

安森美 SiC MOSFET 静态特性

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