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电源管理

高频率、高输入电压DC/DC转换器的设计挑战

DC/DC转换器的设计频率越来越快，目的是减小输出电容和电感的尺寸，以节省电路板空间。正因如此，现在市场上出现越来越多工作在高输入电压下的DC/DC转换器，其可提供线压瞬态保护，更低的占空比使更快频率下难以达到更低的电压。许多电源集成电路制造厂商（IC）正在积极推销高频DC/DC转换器，声称可...

2012-07-02

电压 DC/DC 转换器

Vishay Siliconix功率MOSFET在4.5V时导通电阻仅为9.4 mΩ

日前，Vishay宣布推出新款8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻，4.5V时导通电阻仅为9.4 mΩ。

2012-06-29

TrenchFET 功率MOSFET N沟道器件

更高的集成度、更低的成本需要更深入的系统理解

行业分析师们一致认为未来系统的发展趋势是移动便携、“绿色”节能，以及在终端设备中集成更多的传感器。这种发展趋势，要求模数 (ADC) 转换器和数模 (DAC) 转换器具有更多的通道数、更高的速度和性能，同时还要求更低的功耗预算、更小的尺寸以及更低的成本。

2012-06-29

集成度成本系统

高可靠性医疗设备电源选型参考与应用实例

一台医疗设备在医院是否能够发挥其最大效能，除了与机器本身的技术性能有直接的关系外，还和供电电源的质量有着极其重要的关系。电源品质的好坏，将直接影响医疗设备的运行稳定性和可靠性，甚至导致重大医疗设备事故和造成巨大的经济损失。为此，深圳中电华星电子技术有限公司针对目前医疗设备市场...

2012-06-28

医疗电子电源选型

Vishay新款MLCC的Q值可达2000以上适合高频和微波应用

Vishay宣布推出新系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- VJ HIFREQ。器件具有高自振、大于2000的高Q值、小于0.05%的低介质损耗角，可在高频商用应用中工作。

2012-06-27

MLCC 高Q值 Vishay 高频

罗姆超低IR肖特基势垒二极管降低车载、电源设备的功耗达40％

日本知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都）近日面向车载、电源设备，开发出高温环境下亦可使用的超低IR肖特基势垒二极管“RBxx8系列”。与传统的车载用整流二极管相比，可降低约40%的功耗，非常有助于电动车（EV）和混合动力车（HEV）等要求更低功耗的电路节能。

2012-06-27

罗姆二极管 RBxx8系列

电装推出输出功率密度高达60kW/L的SiC逆变器

由电装与丰田汽车及丰田中央研究所的共同研发，采用SiC功率元件制成的逆变器，其输出功率密度高达60kW/L。该试制品通过将功率半导体材料由原来的Si改为SiC，同时功率元件内部通过采用自主开发的构造实现了低电阻化，从而降低了电力损耗。

2012-06-26

SiC逆变器电装

为独立设备提供更高的安全性和更长的电池使用寿命

电池供电设备的范围已从用于工匠的强大手工工具扩展到用于房屋监督甚至医疗救助服务的传感器。此类设备的安全性面临着巨大的挑战。为确保安全操作这些独立设备，SCHURTER 提供了两款具有低功耗且高容限的跳闸时间的 SMD 保险丝。

2012-06-25

独立设备安全性电池

罗姆新款用于DC/DC转换器的功率MOSFET实现FOM降低50%

罗姆面向服务器、笔记本电脑以及平板电脑等所使用的低耐压DC/DC转换器，开发出了功率MOSFET。FOM与传统产品相比降低了50％，实现更高的转换效率和高频下更低的电力损耗，并采用小型封装，有助于更加节省空间。

2012-06-22

DC/DC转换器功率MOSFET FOM 罗姆

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