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电源管理

基于MPY634的有效值电路设计

MPY634是一款宽带宽、高精度、四象限模拟乘法器。其精确的激光微调特性使其易于在各种应用中使用。它的差分X，Y和Z输入使其在保持高精度的同时可以进行乘法、除法、开方等多种运算。精确的内部电压参考可精确设置比例因数。

2023-01-30

模拟乘法器有效值电路设计

如何解决汽车大功率集成磁元件的散热难题？

本文将重点讨论普莱默在3DPower™散热技术方面取得的进步。磁集成的最大优点是同一元件的体积比离散方案的小。但增加功率密度会导致部件温度升高。

2023-01-29

电动汽车磁元件散热

通过栅极驱动器提高开关电源功率密度

像许多电子领域一样，进步持续发生。目前，在 3.3kW 开关电源 (SMPS)中，产品效率高达 98%，1U结构尺寸，其功率密度可达 100 W/in³。这之所以可以实现是因为我们在图腾柱 PFC 级中明智地选择了超结 (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS™），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC™），而且还采用了氮化镓 (...

2023-01-29

栅极驱动器开关电源功率密度

BMS与新型电池技术化解“里程焦虑”

新能源汽车市场爆发，但“里程焦虑”始终是困扰车主的最大问题之一，其具体表现为续航虚标、充电速度慢以及冬季里程缩水等。在国内，从2014/2015年开始，新能源汽车产业进入高速发展期。解决里程焦虑是产业主要的发展目标之一，随着充电桩、换电站等基础设施不断完善，消费者对新能源汽车的接受度不断...

2023-01-28

BMS 电池技术

优化汽车应用的驾驶循环仿真

碳化硅（SiC）已经改变了许多行业的电力传输，尤其是电动汽车（EV）充电和车载功率转换部分。由于 SiC 具备卓越的热特性、低损耗和高功率密度，因此相对 Si 与 IGBT 等更传统的技术，具有更高的效率和可靠性。要想获得最大的系统效率并且准确的预测性能，必须仿真这些由 SiC 组成的拓扑、系统和应用。

2023-01-28

汽车应用功率模块仿真

SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？

众所周知，“挖坑”是英飞凌的祖传手艺。在硅基产品时代，英飞凌的沟槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和沟槽型的MOSFET就独步天下。在碳化硅的时代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飞凌依然延续了沟槽路线。难道英飞凌除了“挖坑”，就不会干别的了吗？非也。因为SiC材料独有的特性，SiC ...

2023-01-27

SiC MOSFET 沟槽栅

简化隔离式软件可配置I/O通道设计的高集成度、系统级方法

本文介绍一种软件可配置输入/输出(I/O)器件及其专用隔离电源和数据解决方案，该解决方案有助于应对系统级工业应用的设计挑战。本文阐述了在设计单个IC时从系统级角度进行思考的优势，并重点讨论了建议解决方案的功耗优化功能。

2023-01-27

I/O 隔离电源 ADI

MCU解决800V电动汽车牵引逆变器的常见设计挑战的3种方式

电动汽车 (EV) 牵引逆变器是电动汽车的核心。它将高压电池的直流电转换为多相（通常为三相）交流电以驱动牵引电机，并控制制动产生的能量再生。电动汽车电子产品正在从 400V 转向 800V 架构，这有望实现：

2023-01-20

MCU 电动汽车牵引逆变器

SIMO PMIC：为可穿戴设备电源设计打开方便之窗！

我们生活在一个被电子设备包裹的时代，这些设备使我们的学习、工作、锻炼、旅行和交流等变得非常方便，尤其是可穿戴设备正在成为人们日常生活中不可或缺的一部分。在医疗应用中，可穿戴设备可用于监测心率、血压、血氧水平、运动中燃烧的卡路里、睡眠跟踪等。为了提供更好的用户体验，高性能、小尺...

2023-01-20

SIMO PMIC 可穿戴设备电源设计

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