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长鑫LPDDR6拿下全球首发，落地小米旗舰处理器
LPDDR6标准发布刚满一年，全球首款支持它的旗舰处理器已经落地了——小米玄戒O3，首发搭载的内存来自长鑫。8月24日小米官宣的这条消息，背后其实有两层意思：一是玄戒O3在内存规格上抢了个全球第一，二是国产DRAM第一次在最新一代低功耗内存标准上拿到了首发商用资格。长鑫的这颗LPDDR6，16Gb单颗粒容量、10667Mbps起步速率、1295 Ball的POP封装，从3月送样到8月验证收尾，节奏踩得很紧。过去每一代内存标准的更替，都是一轮市场份额重新划分的窗口，而这次站在窗口前排的，是长鑫科技。
2026-08-25
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Gartner预测：2026年全球半导体收入将达1.6万亿美元，同比增长92%
Gartner最新发布的半导体收入预测，数字相当扎眼：2026年全球半导体收入预计达到1.6万亿美元，比2025年增长92%，2027年还要再冲到1.9万亿。驱动这个增速的，一是AI基础设施的持续投入，二是内存价格进入了一个超预期的上行周期。内存今年在半导体总收入中的占比将从27%跳到54%，DRAM和NAND的增幅分别达到246%和371%。Gartner的分析师认为，这已经不是一个普通的周期波动，而是半导体行业进入了一个本质上不同的增长阶段。
2026-08-24
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一颗NOR，撑起AI耳机、ADAS与HBM4服务器的底层信任
在半导体存储领域，NOR Flash虽不如DRAM或NAND Flash广为人知，却凭借其“芯片内执行”（XIP）、高可靠性、快速启动和长数据保留等独特优势，在物联网、汽车电子、AI终端及AI服务器等关键场景中扮演着不可替代的角色。从上世纪80年代诞生至今，NOR Flash已从功能机固件存储走向智能时代的高性能刚需元件。尤其在AI与自动驾驶浪潮推动下，其市场需求激增、价格上扬，并催生本土MCU企业加速布局“MCU+存储”生态。与此同时，3D NOR Flash技术的突破更将存储密度与性能推向新高度，为行业打开全新成长空间。
2026-02-12
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10nm以下DRAM，三星DRAM技术突破存储行业版图
10纳米以下节点的技术突破成为行业发展的关键门槛。三星电子与三星综合技术院联手，在IEEE国际电子器件会议上公布了——可用于10纳米以下制程DRAM的高耐热核心技术，为这一领域带来了历史性突破。这项以非晶态铟镓氧化物材料为核心的创新，不仅攻克了CoP架构量产的高温工艺难题，更以扎实的稳定性数据为0a、0b世代DRAM的商用铺平道路，其对全球存储芯片行业的重构价值值得深入关注。
2025-12-18
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有机基板 + 精简引脚，SPHBM4 的双重技术突破
SPHBM4在沿用标准HBM4 DRAM核心层、保障容量扩展能力的基础上，通过接口基础裸片的创新性设计实现了关键突破——I/O数据引脚数量锐减至标准HBM4的四分之一。依托有机基板替代硅基板、更高工作频率及4:1串行化技术的协同作用，这款新型内存不仅适配更低凸点间距密度的材料特性，更为提升单一封装内存堆栈数量、拓展系统总容量开辟了新路径，将对高性能计算存储领域产生深远影响。
2025-12-12
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国产超强手机内存长鑫LPDDR5X来了
近日，长鑫存储（CXMT）正式宣布，已成功实现LPDDR5X系列内存芯片的研发与量产，标志着我国在高端移动存储技术领域实现关键突破。这一里程碑进展不仅填补了国产DRAM在旗舰级手机应用中的空白，也意味着国产高端智能手机正加速摆脱对美韩存储芯片的长期依赖。
2025-10-27
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华邦电子重新定义AI内存：为新一代运算打造高带宽、低延迟解决方案
随着高效能运算（HPC）工作负载日益复杂，生成式 AI 正加速整合进现代系统，推动先进内存解决方案的需求因此日益增加。为了应对这些快速演进的需求，业界正积极发展新一代内存架构，致力于提升带宽、降低延迟，同时增加电源效能。DRAM、LPDDR 以及利基型内存技术的突破正重新定义运算效能，而专为 AI 优化的内存方案，则扮演了驱动效率与扩展性的关键角色。华邦的半定制化超高带宽元件 (CUBE) 内存即是此进展的代表，提供高带宽、低功耗的解决方案，支持 AI 驱动的工作负载。本文将探讨内存技术的最新突破、AI 应用日益增长的影响力，以及华邦如何透过策略性布局响应市场不断变化的需求。
2025-08-28
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14.4Gbps 狂飙！Cadence 全球首发 LPDDR6/5X IP 点亮下一代 AI
楷登电子（Cadence，NASDAQ：CDNS）近日成功流片业界首款LPDDR6/5X内存IP系统解决方案，支持14.4Gbps超高速率，较前代LPDDR DRAM性能提升50%。该方案专为新一代AI基础设施设计，可满足大语言模型（LLM）、智能代理等计算密集型应用对内存带宽与容量的严苛需求。目前，Cadence正与全球头部AI、高性能计算（HPC）及数据中心客户展开深度合作，共同推动AI算力架构的存储升级。
2025-07-17
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提高下一代DRAM器件的寄生电容性能
随着传统DRAM器件的持续缩小，较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响，未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容，并使器件发挥出合格的性能。本研究比较了6F2蜂窝动态随机存取存储器 (DRAM) 器件与4F2垂直通道访问晶体管 (VCAT) DRAM结构的寄生电容。结果表明，与6F2结构相比，4F2结构显著降低了节点接触 (NC) 与位线 (BL) 之间的寄生电容。尽管4F2器件其他组件之间的寄生电容相比6F2器件略有增加，但它们仍处于支持器件达成目标性能的合格水平。相比6F2器件，4F2 DRAM器件的总寄生电容得到有效降低，可能在器件尺寸较小的情况下提供更优的性能。
2024-11-20
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DigiKey开售Kingston的内存产品和存储解决方案
DigiKey 宣布与 Kingston Technology（金士顿）合作，向全球分销其内存产品和存储解决方案。作为全球最大的独立存储器产品制造商之一，Kingston 面向各种规模的工业和嵌入式 OEM 客户，提供包括 eMMC、eMCP、ePoP、UFS 和 DRAM 组件在内的各种存储产品。该公司还提供一系列专为系统设计师和制造者打造的工业级 SATA 和 NVMe 固态硬盘 (SSD)。
2024-07-27
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以工艺窗口建模探索路径：使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口
持续的器件微缩导致特征尺寸变小，工艺步骤差异变大，工艺窗口也变得越来越窄[1]。半导体研发阶段的关键任务之一就是寻找工艺窗口较大的优秀集成方案。如果晶圆测试数据不足，评估不同集成方案的工艺窗口会变得困难。为克服这一不足，我们将举例说明如何借助虚拟制造评估 DRAM 电容器图形化工艺的工艺窗口。
2023-11-29
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DDR5 时代来临，新挑战不可忽视
在人工智能（AI）、机器学习（ML）和数据挖掘的狂潮中，我们对数据处理的渴求呈现出前所未有的指数级增长。面对这种前景，内存带宽成了数字时代的关键“动脉”。其中，以双倍数据传输速率和更高的带宽而闻名的 DDR（Double Data Rate）技术作为动态随机存取存储器（DRAM）的重要演进，极大地推动了计算机性能的提升。从 2000 年第一代 DDR 技术诞生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技术在带宽、性能和功耗等各个方面都实现了显著的进步。
2023-10-20
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