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VLMx51系列：Vishay推出小尺寸PLCC2 Plus封装SMD LED用于照明
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小尺寸PLCC2 Plus封装的红色、琥珀色、黄色和白色功率SMD LED。VLMx51系列具有高光通量和非常低的结至环境热阻，可用于各种照明应用。
2010-10-29
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2010年第3季度太阳能电池产能增加1GW以上
2010年第三季度，太阳能电池的产能增加部分首次突破了1GW大关，达到1.12GW。据美国Solarbuzz的 “PVEquipmentQuarterly"报告显示，产能增加部分中约80％是由中国大陆及台湾厂商实现的。估计2010年第四季度产能还会继续增加，因第四季度似将有约相当于1.3GW产能的生产线建成。
2010-10-29
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RS Components与快达签署全球分销协议
国际著名电子、电机和工业产品分销商RS Components于近日宣布，与定制型传感器技术（Custom Sensors & Technologies - CST）品牌旗下的世界领先固态继电器制造商快达（Crydom）公司签署最新分销协议。RS成为快达在亚太地区的首家战略合作伙伴。
2010-10-28
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UMZ 250：SCHURTER扩大SMD保险丝额定电流范围适用于电路保护
SCHURTER扩大了250 VAC、IEC时间滞后小型SMD保险丝UMZ 250的额定电流。这款带有接线柱的SMD保险丝现在可有从80 mA到4 A的18种不同额定电流。这是范围从0.08A 到0.25A的6种额定电流选择的一种扩展。
2010-10-28
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IR 拓展 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列适用于重负载应用
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布拓展了车用DirectFET®2功率MOSFET系列。该系列具有非常出色的功率密度、双面冷却功能以及最小寄生电感和电阻，适用于重负载应用，包括电动助力转向系统、电源、混合动力汽车的电池开关、微型混合动力汽车的集成起动发电机系统等。
2010-10-28
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三季度全球智能手机销量同比大增78%
市场研究公司Strategy Analytics 21日表示，第三季度全球智能手机销量较上年同期大幅增长，iPhone制造商苹果公司(Apple Inc.)超越黑莓制造商Research in Motion Ltd.(RIM)，占据销量排行榜亚军宝座。
2010-10-28
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FMBB NEO 系列：SCHURTER推出二阶电磁干扰滤波器适合工业运用
SCHURTER 最新推出的FMBB NEO系列单相精良高质量二阶电磁干扰滤波器 ,有三种特殊参数选择，更明确有效地解决电磁干扰问题。
2010-10-26
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百佳泰深圳实验室采用泰克SATA-Gen 3和HDMI1.4a全套方案
全球示波器市场的领导厂商---泰克公司日前宣布，百佳泰（Allion Test Lab, Inc）于近日成立的深圳实验室采用一整套泰克仪器，为包括SATA-Gen 3、HDMI1.4a、USB2.0/3.0及DisplayPort在内的高速串行技术标准提供测试认证。
2010-10-25
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电子元件生产技术改进 PC成本骤降
根据调查公司CONtext的调研数据来看，从九月开始电脑内存和硬件产品已经连续三个月下降，今年六月份是价格达到顶峰的时期。据国外媒体报道，根据近日发布的数据显示，尽管重要的PC元件已经有很大的成本下降，但是PC的价格仍然是没有多大变化。
2010-10-22
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WSLP0603：Vishay推出0603封装的检流电阻用于DC-DC转换器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面贴装Power Metal Strip®电阻 --- WSLP0603，该电阻是业界首款采用紧凑0603封装尺寸的0.4W检流电阻。WSLP0603电阻的阻值范围非常低，只有10mΩ～100mΩ，可在+170℃的高温下工作。
2010-10-21
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TDK开发新传感器可同时测量转向角与转向扭矩
TDK开发出了可用于汽车动力方向盘（Power Steering）等，可同时测量转向角与转向扭矩的传感器，并在“CEATEC JAPAN 2010”上展出。TDK介绍，尽管该公司此前也开发并在展会上展出过采用“SV-GMR”技术的转向角传感器等，但展出同时测量转向角和转向扭矩的传感器“还为首次”。
2010-10-21
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Vishay Siliconix 推出新款N沟道功率MOSFET用于开放式电源
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装。
2010-10-20
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