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专为3G和LTE基础设施开发的超高隔离SPDT射频开关
RFSW6124 是一款采用对称设计可实现超高隔离的SPDT射频开关。该GaAs pHEMT 开关的典型应用包括蜂窝基站和其他要求高线性度和功率处理能力的通信系统。RFSW6124 采用非反射架构为在闭合状态下实现端口，并为全闭合状态提供了启动接脚。开关控制为 3V 和 5V 正逻辑兼容。
2012-12-19
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一种具有过载和短路保护的车载电源系统的开关电源设计
本文提出了一种具有过载和短路保护的车载电源系统的开关电源设计方案。该方案采用单端反激式结构实现42VDC/12VDC的转换，输出电压稳定，波纹小，不间断，性能可靠且电源损耗小。
2012-12-19
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什么是面接触型二极管？
面接触二极管是利用扩散、多用合金及外延等掺杂方法，实现P型半导体和N型半导体直接接触而形成PN结的。面接触二极管PN结的接触面积大，可以通过较大的电流，适用于大电流整流电路或在脉冲数字电路中作开关管。因其结电容相对较大，故只能在较低的频率下工作，在集成电路中可作电容用。如2CPl为面接触型硅二极管，最大整流电流为40OmA，最高工作频率只有3kHz。
2012-12-19
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无Y电容的充电器变压器补偿设计方法
在开关电源中，功率器件高频导通/关断的操作导致的电流和电压的快速变化而产生较高的电压及电流尖峰是产生EMI的主要原因。通常情况下，系统前端要加滤除器和Y电容，Y电容的存在会使输入和输出线间产生漏电流，具有Y电容的金属壳手机充电器会让使用者有触电的危险，因此，一些手机制造商开始采用无Y电容的充电器，然而，去除Y电容会给EMI的设计带来困难，本文将介绍无Y电容的充电器变压器补偿设计方法。
2012-12-18
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如何测试单芯锂离子的线性IC充电器
单芯锂离子的线性IC充电器其效率仍能与开关模式充电器相比。线性充电器亦提供一些额外的优点。它们几乎不产生 EMI（电磁干扰），它们不需要电感，并且它们需要的电容器数也少于开关模式充电器。
2012-12-18
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TDK新款1005 尺寸EMC 对策开关电源，现已量产
TDK开发出新款1005 尺寸EMC 对策元件——开关电源，该器件额定电压 25V、ESR 1,000mΩ、0.1μF ，在不降低功率效率的情况下，实现开关电源的振铃对策。通过这一个元件，可以实现电容器、电阻缓冲电路、去耦电容器这3个元件构成的功能，现已开始量产。
2012-12-17
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第五讲：RCD尖峰脉冲吸收电路参数计算举例
临近岁末，《电子元件技术网》为培养社区顶级设计工程师而精心打造的造星平台---大讲台将为大家带来一波又一波的惊喜，最新推出的是社区技术专家陶显芳老师倾情打造的最新贺岁力作：单激式开关电源漏感与分布电容对输出波形的影响，以及RCD尖峰脉冲吸收电路参数的计算实例。本站将分五讲为大家披露单激式开关电源的设计诀窍。
2012-12-16
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压电元件与霍尔元件的区别？
压电元件利用材料的压电效应(见石英晶体)制成的器件。大多数压电器件的结构由电极、压电片、支架和外壳组成。霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速,如录象机 的磁鼓,电脑中的散热风扇等;是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用位移量测量、磁场测量、接近开关以及限位开关电路中。
2012-12-16
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第四讲：单激式电源开关管的过压保护设计
临近岁末，《电子元件技术网》为培养社区顶级设计工程师而精心打造的造星平台---大讲台将为大家带来一波又一波的惊喜，最新推出的是社区技术专家陶显芳老师倾情打造的最新贺岁力作：单激式开关电源漏感与分布电容对输出波形的影响，以及RCD尖峰脉冲吸收电路参数的计算实例。本站将分五讲为大家披露单激式开关电源的设计诀窍。
2012-12-15
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峰值效率高达95%的DC-DC稳压器
ADI推出转换效率超过95%的紧凑型开关稳压器，在-40°C至+125°C结温范围内工作，采用紧凑型4 mm x 4 mm 24引脚LFCSP封装。同步输入，可将输入纹波电流减至最小，并简化输入滤波器设计
2012-12-14
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第三讲：对漏感与分布电容的影响进行数学分析
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2012-12-14
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用于锂离子电池保护电路的N沟道低导通电阻MOSFET
东芝推出新款N沟道低导通电阻MOSFET，可用于锂离子电池保护电路和手机电源管理开关。采用了TSON Advance封装，可提供出色的散热性能和高抗雪崩性能。
2012-12-13
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- 10MHz高频运行！氮矽科技发布集成驱动GaN芯片，助力电源能效再攀新高
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