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IGBT窄脉冲现象解读
IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关门太快容易挤压手一样，过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。这种现象随着IGBT被高频PWM调制信号驱动时，时常会无奈发生，占空比越小越容易输出窄脉冲，且IGBT反并联续流二极管FWD在硬开关续流时反向恢复特性也会变快。
2022-06-03
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常见MOSFET失效模式的分析与解决方法
提高功率密度已经成为电源变换器的发展趋势。为达到这个目标，需要提高开关频率，从而降低功率损耗、系 统整体尺寸以及重量。对于当今的开关电源(SMPS)而言，具有高可靠性也是非常重要的。零电压开关(ZVS) 或零电流开关(ZCS) 拓扑允许采用高频开关技术，可以 大限度地降低开关损耗。ZVS拓扑允许工作在高频开 关下，能够改善效率，能够降低应用的尺寸，还能够降 低功率开关的应力，因此可以改善系统的可靠性。LLC 谐振半桥变换器因其自身具有的多种优势逐渐成为一种 主流拓扑。这种拓扑得到了广泛的应用，包括高端服务 器、平板显示器电源的应用。但是，包含有LLC谐振半 桥的ZVS桥式拓扑，需要一个带有反向快速恢复体二极 管的MOSFET，才能获得更高的可靠性。
2022-06-01
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LDO基础知识：噪声 - 降噪引脚如何提高系统性能
使用低压降稳压器 (LDO) 来过滤开关模式电源产生的纹波电压并不是实现清洁直流电源的唯一考虑因素。由于 LDO 是电子器件，因此它们会自行产生一定量的噪声。选择低噪声 LDO 并采取措施来降低内部噪声对于生成不会影响系统性能的清洁电源轨而言不可或缺。
2022-05-27
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一文带你了解降压型稳压芯片原理
在电路系统设计中，总是离不开电源芯片的使用，林林总总的电源芯片非常多，比如传统的线性稳压器7805、低压差线性稳压器(LDO)、开关型降压稳压器(Buck DCDC)等，那么它们到底有什么区别呢？Excelpoint世健的工程师Wolfe Yu在此对各种降压型稳压芯片的原理进行了科普。
2022-05-26
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X-FAB采用Cadence EMX Solver电磁仿真技术，加速创新通信和车用射频设计
中国北京，2022年5月25日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，与EDA软件领先供应商Cadence Design Systems, Inc.在电磁（EM）仿真领域携手展开合作。Cadence® EMX® Planar 3D Solver现已成功集成至X-FAB的RFIC工艺流程中，从而使X-FAB当前及未来的RF平台获益。现已证明，借助EMX Solver对X-FAB参考设计中的低噪声放大器、射频开关、滤波器和无源元件进行验证，可以在极短的时间内得出高精度的结果。
2022-05-25
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关于射频微机电系统开关的那些事儿
射频微机电系统 (RF MEMS) 开关是低功耗小型微机械开关，可以使用传统的MEMS制造技术生产。它们类似于房间中的电灯开关，通过触点打开或关闭在开关中传输信号。在RF MEMS器件中，开关的机械组件大小只在微米级别。与电灯开关不同的是，RF MEMS开关传输的是射频信号。
2022-05-24
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如何使用SSR实现更高可靠性的隔离和更小的解决方案尺寸
在发明晶体管之前，继电器一直被用作开关。从低压信号安全地控制高压系统（如隔离电阻监测中的情况）的能力是开发许多汽车系统所必需的。尽管机电式继电器和接触器技术多年来有所改进，但对于设计人员来说，要实现其寿命可靠性和快速开关速度以及低噪声、冲击振动和功耗目标，仍然具有挑战性。
2022-05-20
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藏在变压器下面的“冰墩墩”
由于在芯片内部，通过电容隔离技术实现了原副边开关管的精准同步，MPS 公司的 MPX2002/3 非常有助于实现更加高效并且可靠性更好的反激方案。
2022-05-19
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25kW SiC直流快充设计指南(第四部分)：DC-DC级的设计考虑因素和仿真
在“开发基于碳化硅的25 kW快速直流充电桩”[1-3] 系列的这篇新文章中，我们聚焦DC-DC双有源相移全桥(DAB-PS)零电压开关(ZVS)转换器，其简介和部分描述参见第二部分。
2022-05-19
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新型车载光耦你了解多少？
光耦作为电气隔离器件，其主要原理就是通过电能转化为光，然后再转化为电，来传输信号。其抗干扰能力强，工作稳定，传输效率高，主要应用于固体开关中。除了传输信号的功能，光电耦合器还可以将脉冲信号进行放大，因此在数字电路中也有广泛的应用。
2022-05-17
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集成容性隔离助力高密度适配器设计
快充需求推动了高密度适配器的蓬勃发展。在实际的适配器设计中，花样繁多的新型开关功率器件、拓扑和控制方案不计其数。
2022-05-16
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UnitedSiC SiC FET用户指南
本SiC FET用户指南介绍了使用含快速开关SiC器件的RC缓冲电路的实用解决方案和指南。该解决方案经过实验性双脉冲测试（DPT）结果验证。缓冲电路损耗得到精确测量，可协助用户计算缓冲电路电阻的额定功率。本指南还在UnitedSiC_AN0018《开关含缓冲电路的快速SiC FET应用说明》中分析了缓冲电路对硬开关和软开关应用的有益影响。
2022-05-13
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