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通孔刻蚀工艺的检测技术研究
随着半导体制造技术推进到更加先进的深亚微米技术，半导体金属布线的层数越来越多，相应的通孔刻蚀工艺也越多，并且伴随着通孔的尺寸随着器件设计尺寸逐步缩小。以DRAM制造为例，存储量由4M发展到512M时，设计规则由1μm缩小到0.16μm，其中通孔的尺寸也从0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蚀的难度也越来越大，如果刻蚀不到位，就可能出现金属布线间的开路，直接导致器件失效。那么蚀刻后的监测就变的至关重要，本文简介通孔刻蚀工艺的检测技术研究，并对比了不同检测设备的检测结果
2010-06-22
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2010年半导体设备产业将劲扬113.2%
Gartner副总裁Klaus Rinnen表示：技术升级，将带动 2010年半导体资本设备市场的成长。对40奈米和45奈米设备的需求大幅增加，带动晶圆代工的庞大资本支出。英特尔对3x奈米的投资，NAND 记忆体制造商支出增加，以及升级至下一世代 DDR3 DRAM 记忆体，皆为主要的投资成长动能。
2010-06-21
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DRAM产业回升，以胜利姿态挥别2009
据iSuppli公司，2009年DRAM市场摇摆不定，从一个极端到另一个极端，但第四季度克服了年初时的疲弱局面，高调结束全年，自2007年以来首次实现盈利。
2010-05-05
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移动存储整合突显移动平台越来越重要
据iSuppli公司，最近DRAM供应商尔必达和美光的收购行动，突显供应商越来越重视打造完整的内存产品组合，以面向快速增长的智能手机市场。
2010-03-26
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DDR测试系列之三—— 某SDRAM时钟分析案例
SDRAM时钟分析案例:串联匹配是较好的SDRAM的时钟端接策略，在原理图设计中，需要加上串联的电阻和并联的电容，如果MCU输出的时钟驱动能力弱，可以不使用并联的电容或者换用较小的电阻。准确的测量内存时钟需要足够带宽的示波器和探头，无源探头在高频时阻抗太小，不能准确的测量波形，需要使用高带宽的有源探头。
2009-12-18
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韩国两大半导体巨头占据全球市场大半江山
iSuppli发布报告称，今年7-9月期全球DRAM市场上，韩国三星电子、海力士半导体两大巨头合计销售额共占全球市场总销售额的57.2%；再次刷新2季度55.8%历史最高记录，与1年前的49.3%相比，则提升了7.9个百分点之多，显现出韩国两大半导体巨头的全球市场份额急剧上升的强劲势头。
2009-12-02
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电动车可望迅速普及 重量成本等是关键
集邦科技(DRAMeXchange)表示，电动车目前价格仍高，影响市场接受度，若克服成本过高以及电池过热、供电持续力稳定的疑虑，再加上广设充电站，电动车可望迅速普及。
2009-10-15
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LED产业：扩产虽急缩但呈健康发展
受金融海啸袭击，LED产业从年初的供不应求，到下半年产能过剩。同时也重创DRAM及面板等产业，间接使得原先计划大举进军LED上游磊晶产业的投资计划暂缓，对于处于供过于求的LED产业而言，将有利晶电（2448）、璨圆（3061）等上游磊晶厂拉大竞争优势。
2008-11-17
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