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演进中的电力电子设计：安森美先进仿真工具
电力电子设计是现代工程中的关键因素，它对众多应用的效率、可靠性和性能产生深远影响。在考虑制造工艺差异和最坏情景的同时，开发出符合严格要求的电路，需要精确且精密的工具支持。
2024-04-08
安森美 电力电子设计 仿真工具
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力森诺科（Resonac）对湖南初源、瑞钛提起感光干膜材料专利侵权诉讼
2023年12月，力森诺科联合其子公司力森诺科材料（东莞）有限公司，向深圳市中级人民法院正式提起诉讼，主张湖南初源新材料股份有限公司、湖南瑞钛新材料科技股份有限公司等涉嫌侵犯其在感光干膜领域的中国专利权。 力森诺科要求法院判决被告企业立即停止生产和销售涉及侵权的感光干膜产品，并赔偿因...
2024-04-07
力森诺科
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SEMICON 2024圆满落幕！ 快来认识颇尔令人振奋的产品解决方案
2024年3月20-22日，颇尔中国在上海新国际博览中心N4场馆#4471号为期三天的 SEMICON 2024展览闪耀亮相。这场展会汇聚了1100多家半导体展商，现场人头攒动， 成为业界的焦点。
2024-04-07
产品解决方案
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软件可配置模拟I／O的设计理念
在快速发展的工业电子领域，软件可配置模拟 I/O 器件的开发为系统设计和运行带来了前所未有的多功能性和效率。Analog Devices 的 MAX22000 就是一个很好的实例，它提供了一个多面的模拟信号处理方法，可按需重新配置，以适应各种应用。
2024-04-07
软件 模拟I／O
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测试共源共栅氮化镓 FET
Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计人员发现该器件在实际电路中使用起来并不那么容易，因为它很容易发生振荡，并且其器件特性很难测量并获得可重复的提取。许多设计人员在电路中使用大栅极电阻时必须减慢...
2024-04-07
测试共源 氮化镓 FET
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P沟道功率MOSFETs及其应用
Littelfuse P沟道功率MOSFETs，虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， P沟道功率MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P沟道的简易性使其对低压变换器（<120V）和非隔离的负载点更具吸引力。
2024-04-07
功率MOSFETs
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CITE2024即将拉开帷幕，抢先一睹电子信息产业的未来趋势
伴随着人工智能、大数据、5G、云计算等数字技术的快速发展与广泛应用，数字经济已成为驱动经济增长和社会进步的关键力量。今年的《政府工作报告》更是明确提出，要深入推进数字经济创新发展。制定支持数字经济高质量发展政策，积极推进数字产业化、产业数字化，促进数字技术和实体经济深度融合。
2024-04-07
意法半导体 电子信息产业 人工智能 大数据 5G 云计算
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