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半月谈：IGBT应用设计全面剖析

IGBT是电力电子重要大功率主流器件之一，已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。那么该如何做好IGBT的保护及设计呢？国内市场需求急剧上升曾使得IGBT市场一度被看好，今后的发展趋势又将如何？

2013-05-09

IGBT IGBT保护 IGBT设计

近日，百利通半导体公司推出一个全新的带有温度补偿的晶体振荡器（TCXO）产品系列，其中多款产品都增加了电压控制选项（VCTCXO），在-40°C到+85°C工业级温度范围内能提供优异的±0.5ppm频率稳定性，所支持的频率范围从几MHz到最大值40MHz，几乎覆盖所有的应用需求。

2013-05-09

百利通半导体公司 TCXO

近日，Vishay宣布，其采用glass-to-tantalum密封条的T16系列液钽电容器现可供货，有A、B、C和D四种外形代码。对于航空和航天应用，这些加固过的器件具有更好的耐振动（正弦周期振动：50g；随机振动：27.7g）能力。

2013-05-09

Vishay 液钽电容器航空航天

德州仪器UCC27531单通道栅极驱动器可以非常靠近电源开关栅极放置。相比在一块单IC中组合高侧/低侧栅极驱动器，它的灵活度更高，可帮助最小化驱动器和电源开关之间的电感，并让设计人员能够更好地控制开关栅极。

2013-05-09

开关电源驱动器可再生能源

USB3.0具有高达5Gbps的资料传输速度，但其控制晶片对ESD的耐受能力也快速下降，加上最普遍的USB热插拔动作，也极易造成电子系统工作异常，甚至造成USB控制晶片毁坏，因此，使用额外的ESD保护元件于USB3.0介面来防止ESD事件对资料传输的干扰是绝对必要的。

2013-05-09

USB 3.0 ESD防护 ESD

IGBT因其电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点被广泛用于变频器的逆变电路中,但随着电力电子制造技术的发展，IGCT及IEGT等新型全控型器件的应用范围正在扩大，本文将针对IGCT、IEGT与IGBT在轻型直流输电领域的应用进行对比。

2013-05-08

晶体管 IGBT 变频器

飞兆半导体最近推出的碳化硅(SiC)双极结型晶体管(BJT)将成为IGBT的下一个替代技术，它可以在更高的温度下转换更高的电压和电流。SiC BJT允许更高的开关频率，传导和开关损耗降低(30-50%)，从而能够在相同的尺寸的系统中实现高达40%的输出功率提升。

2013-05-08

飞兆 SIC BJT IGBT

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