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多层板PCB设计时的EMI解决
解决EMI问题的办法很多，现代的EMI抑制方法包括：利用EMI抑制涂层、选用合适的EMI抑制零配件和EMI仿真设计等。本文从最基本的PCB布板出发，讨论PCB分层堆叠在控制EMI辐射中的作用和设计技巧。
2012-12-03
多层板PCB EMI IC
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C&K开发出智能手机用IP68等级30万次寿命微型开关
如果你正在设计超薄智能手机，但又不希望牺牲开关的性能和信号质量，那么推荐你考虑C&K Components最新开发出的顶部驱动的KLT系列pico开关，与现有的KMT系列nano开关相比，尺寸大幅缩小，封装等级高达IP68，开关寿命高达30万次，实为不可多得的理想之选。
2012-12-03
智能手机 微型开关 C&K
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降低EMI影响，手机D类放大器怎么设计？
由于在效率上相对于AB类放大器的巨大优势，D类放大器的应用越来越广泛。根据市场调研机构 Gartner的报告，D类放大器在2006年至2011年之间的复合年成长率将达15.6%，从3.34亿美元成长至6.88亿美元，主要的成长动力来自于功耗敏感及空间受限的消费类电子产品。但D类放大器开关输出的拓扑结构带来了高...
2012-12-03
降低 EMI 手机D类放大器
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Thunderbolt的ESD防护如何实现？
由于Thunderbolt是超高速的传输接口，在系统上属外露给使用者可以插拔的接口，必然是静电放电(ESD)破坏的高风险区，因此ESD防护方案在此是绝对必要的。但在额外加入的ESD防护组件设计时，又必须特别注意不可以影响到其超高速讯号的传输质量，这让ESD的防护又增加了挑战。
2012-12-03
Thunderbolt ESD 防护
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创造12.5Gb/s传输速率应用的新行业基准AirMax VS2连接器
FCI的无屏蔽式AirMax VS2连接器，为 12.5 Gb/s应用确立富有竞争力的行业基准。AirMax VS2协调了AirMax Vse带来的信号集成度（SI）和机械改进和创新特点，保留与AirMax VS的完全插入和配接能力，为用户带来更佳的成本优势。
2012-12-03
12.5Gb/s 基准 AirMax VS2 连接器
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0.8mm x 0.8mm封装的芯片级功率MOSFET
Vishay推出采用业内最小芯片级MICRO FOOT封装的新款Vishay Siliconix功率MOSFET，器件具有0.8mm x 0.8mm封装，在4.5V下导通电阻低至43mΩ，可使便携式电子产品变得更薄、更轻。
2012-12-03
0.8mm 芯片 MOSFET
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重庆电博会-2013第十四届中西部国际电子信息博览会
重庆地处中西部结合部，利用外资增幅连续几年保持全国第一，GDP增速已连续3年位居全国前三，国家历史文化名城，国家重要的现代制造业基地，亚洲最大的电脑基地，西部综合交通枢纽，城乡统筹的特大型城市。在继上海浦东新区、天津滨海新区之后国家在重庆设立第三个国家级“两江新区”，重庆同时具有全...
2012-12-03
重庆电博会-2013第十四届中西部国际电子信息博览会
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