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GaN压力来袭，降低成本是SiC器件大规模商用的前提

受限于价格过高等因素，迄今为止各种SiC功率器件产品系列的实际应用都很少。随着降低环境负荷的要求日益提高，传统Si材料功率器件的局限性越来越突出。新一代材料SiC功率器件具有体积小、高效率、高耐温等优点，受到越来越多的重视，研发生产日益活跃。然而，SiC器件何时才会实现大规模商用，成为业...

2012-12-13

SiC器件 MOSFET 罗姆

Sharp推出感度提升8倍的触控面板技术，和一般使用单列逐次驱动方式的面版相比，新的触控面板技术将触控感应S/N提升了8倍，可使用业界最小直径2mm笔尖的触控笔进行触控操作，即使戴着手套也能精准感测触控点。

2012-12-13

触控面板触控感应平板电脑

散热、驱动电源、光源是做好一个LED照明产品最关键的几个部分。虽然散热显得尤为重要，散热效果直接影响到照明产品的寿命质量，但是光源是整个产品的核心部分，驱动电源本身的寿命及输出电流、电压的稳定性对产品的整体寿命质量也有很大影响。

2012-12-13

LED LED驱动电源管理

GaN功率元件与现有的Si相比可大幅削减电力损失，作为新一代功率半导体材料与SiC一样备受关注。SiC功率元件不断得到空调、音响设备、工业设备及铁路车辆的逆变器等的采用，而GaN功率元件在应用方面却一直落后于SiC。

2012-12-13

GaN SiC 元件

凌力尔特推出一款PowerPath控制器LTC4417，采用 24 引脚 QFN (4mm x 4mm) 和 24 引线窄型 SSOP 封装，在整个商用、工业和汽车温度范围内进行了规定。已开始批量供货。

2012-12-13

mosfet 供电控制器凌力尔特

东芝推出新款N沟道低导通电阻MOSFET，可用于锂离子电池保护电路和手机电源管理开关。采用了TSON Advance封装，可提供出色的散热性能和高抗雪崩性能。

2012-12-13

保护电路 mosfet 手机电源

本文介绍了用正弦脉宽调制（SPWM）技术实现调频调幅输出的串联谐振式电源的工作原理。该电源采用了IGBT模块构成的半桥逆变电路，它具有IGBT驱动、过压、过流、过热保护及故障锁定功能。

2012-12-13

调频调幅输出串联谐振式电源

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