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射频辐射电磁场抗扰度试验
在新版标准里对试验的严酷等级分为一般试验等级和针对数字无线电话的射频辐射而设定的试验等级。
2011-12-22
射频辐射 射频辐射电磁场抗扰度 抗干扰度标准
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Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET荣获“中国优秀电子产品”奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET? 荣获专业媒体《电子技术应用》(AET)的“中国优秀电子产品”奖。
2011-12-22
MOSFET 电子产品
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国家有利政策出台 太阳能产业有望走出低谷
近些年国家队绿色环保能源的重视越来越高，老百姓对环保的产品也更加支持了，所以以太阳能光为代表的绿色能源也会在未来一段时间得到巨大发展。在大力提倡绿色能源的大背景下，可再生能源电价附加征收标准近日确定为8厘/千瓦时，自2012年1月1日起实行。
2011-12-22
太阳能 可再生能源
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威世Power Metal Strip仪表分流电阻获电子产品世界“2011编辑推荐”奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，该公司的WSMS2908 Power Metal Strip®仪表分流电阻荣获《电子产品世界》(EEPW)的“2011编辑推荐”奖，该杂志是中国重要的专业类刊物。
2011-12-22
仪表分流电阻 Vishay Power Metal Strip
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静电放电抗扰度试验
关于不接地设备的试验配置，新版标准与旧版标准的配置是相同的。关键是在单次放电时（无论是空气的，还是接触的），试品上的电荷应当在每次施加静电放电脉冲之前先行释放（释放掉在需要施加静电放电的金属点或金属部位上的电荷）。
2011-12-22
静电放电抗扰度 静电放电 静电
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角多路技术在准分子激光放大器中的应用
对于准分子激光放大器，由于激活介质的上能态储能时间很短，必须连续补充瞬态储能(Em)才能获得高能输出，即E=EmT/t，其中T是增益时间，t是增益恢复时间。对于电子束泵浦的准分子激光放大器，增益时间可以长达200ns，T/t≈100，这意味着对于单个要放大的短脉冲，只能提取出很小一部分能量。为了持续提...
2011-12-22
激光放大器 增益时间 编码
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FPGA测试方案随需而变
随着FPGA技术的发展，大容量、高速率和低功耗已经成为FPGA的发展重点，也对FPGA测试提出了新的需求。本文根据FPGA的发展趋势，讨论了FPGA测试面临的挑战，并提出了基于测试仪表的FPGA测试方案。
2011-12-22
FPGA 低功耗 RTO
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