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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶体管
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支：超低VCEsat晶体管以及高速开关晶体管。其电压范围为20 V - 60 V，采用小型SMD封装SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
2010-03-10
恩智浦 VCEsat 晶体管
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iP2010/2011：IR率先推出行业首批商用氮化镓集成功率级器件
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出行业首个商用集成功率级产品系列，采用了IR革命性的氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台。崭新的iP2010和iP2011系列器件是为多相和负载点 (POL) 应用设计的，包括服务器、路由器、交换机，以及通用POL DC-DC转换器。
2010-03-10
iP2010 iP2011 氮化镓
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任天堂超过三星 成为消费产品和手机MEMS的最大买家
据iSuppli公司，日本任天堂在2009年超越韩国的三星，成为用于消费电子产品和手机的微机电系统(MEMS)的全球最大买家。
2010-03-10
任天堂 三星 MEMS
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中大尺寸液晶电视最新LED背光方案
在规范标准及绿色营销的压力下，液晶电视的工作及待机能耗也越来越低。如“能源之星”4.0版规范及5.0版规范相继将于2010年5月及2012年5月生效，其中5.0版要求可视屏幕对角尺寸为32英寸、42英寸和60英寸的平板电视平均工作能耗从4.0版的不超过78W、115W和210W下降到不超过55W、81W和108W，本文介绍中大...
2010-03-10
液晶电视 LED背光 CCFL 电源架构
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LED芯片封装缺陷检测方法
引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应，分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对LED支架回路光电流进行非接触检测，得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架问的电气连接情况，并对检测精度的影响因素进行分析。
2010-03-10
LED芯片 缺陷检测 电子隧穿效应 非金属膜层
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2010中国IT领袖峰会将于3月底在深圳隆重举行
记者是从近日召开的2010中国（深圳）IT领袖峰会新闻发布会上获悉这一消息的。深圳市委常委、常务副市长许勤，数字中国联合会主席吴鹰等出席了新闻发布会并回答了记者的提问
2010-03-09
2010 中国IT 领袖峰会 中国经济
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台湾LG电子表示今年将抢攻15%市场
台湾乐金电子（LG）董事长白明源近日表示，LG去年在台湾手机市场稳居第四名，市占率约一成，今年将进一步挑战15%市占率的目标，推出约30多款新手机，带给消费者全新品牌体验。
2010-03-09
台湾 LG 白明源 手机
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