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DDR测试系列之二——使用力科WaveScan技术分离DDR读写周期

测量DDR2存储设备需要把读/写的访问周期分离开来。在DDR2中通过Strobe和Data总线之间的关系可以区分出来读和写的操作。如图1所示，在读操作时Data和Strobe的跳变是同步的，而在写操作时Strobe的跳变则领先于Data。我们利用这种时序上的差异就可以分离出读操作和写操作。

2009-12-18

DDR测试力科 WaveScan 分离读写周期

DDR测试系列之三—— 某SDRAM时钟分析案例

SDRAM时钟分析案例:串联匹配是较好的SDRAM的时钟端接策略，在原理图设计中，需要加上串联的电阻和并联的电容，如果MCU输出的时钟驱动能力弱，可以不使用并联的电容或者换用较小的电阻。准确的测量内存时钟需要足够带宽的示波器和探头，无源探头在高频时阻抗太小，不能准确的测量波形，需要使用高带...

2009-12-18

DDR 测试 SDRAM 时钟分析

AP2101/AP2111：Diodes推出为USB应用优化的高电流电源开关

Diodes针对高电流应用推出两款新器件以扩展旗下AP21XX电源开关产品线。最新的单通道AP2101及AP2111可提供高达2A的连续输出电流，且经过优化，适合自我供电和总线供电USB，以及其他3-5V的热插拔应用。

2009-12-18

AP2101 AP2111 Diodes USB 电流电源开关

东大等验证7μm的极薄晶圆也不会影响CMOS元件

东京大学研究生院工学系研究专业附属综合研究机构与日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同开发出了可将300mm晶圆（硅底板）打薄至7μm的技术。

2009-12-18

东大晶圆 CMOS元件 IEDM MOSFET WOW项目硅

工信部明确环保使用期限，控制电子产品污染

日前，为了帮助广大电子信息产品制造企业确定所生产产品的环保使用期限，工业和信息化部发布了《电子信息产品环保使用期限通则》(简称《通则》)。

2009-12-18

工信部电子产品污染环保

2010年LED产业展望

LED业者一致认为，LED最终应用将面向广大的照明市场。2009年LED TV渗透率将从2008年0.3%，提升至2009年的2.8%。预估2011年LED 监视器渗透率将上涨21.6%，2011年LED 监视器渗透率将上降21.6%。而到了2012年，当LED 发光效率达130 lm/W，且LED成本每千流明为5美元时，LED照明将更大量被采用。

2009-12-18

LED 照明 TV NB

AUIPS7121R/7141R：IR推出坚固可靠的智能功率开关

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出 AUIPS7121R 和 AUIPS7141R 65V 高侧智能功率开关 (IPS) 。新产品具有精确的电流感应和内置保护电路，适用于严苛的24V汽车环境，如卡车的引擎罩接线盒等。

2009-12-18

IR AUIPS7121R AUIPS7141R 智能功率开关

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