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IGCT门极驱动电路的原理分析
在目前的中电压大功率应用领域，占主导地位的功率半导体器件有晶闸管、GTO和IGBT等，这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷。ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件—IGCT。它的关键思想是将改进结构的GTO与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方...
2008-10-14
IGCT 门极驱动电路 硬驱动
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DirectFET封装技术为服务器VRM提供解决方案
本文给出了一个VRM的例证。通过把一项创新的封装技术灵活地集成到系统设计中，DirectFET在电流密度上取得了突破。使用DirectFET MOSFET还可以通过减小系统所需器件数和所有散热所需的成本，如附加风扇或板上铜皮减小，来降低系统成本。昂贵的散热方案如热管等可以省掉，PCB的尺寸可以缩小。在大多数...
2008-10-14
DirectFET MOSFET VRM PCB
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电源准谐振变换器的研究
准谐振变换（Quasi-resonant Converters）是一种成熟的技术，在电源消费电子产品领域已获得了广泛应用。本文阐述了准谐振反激变换器和降压变换器，介绍了它们提高电源效率的工作原理。
2008-10-14
准谐振变换器 降压变换器 Fairchild 反激
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电池供电DC/DC转换器选择技巧
与通用电源供电的应用场合不同，用蓄电池和电池供电时，对直流 / 直流转换器有些额外的要求。首先要求效率非常高、备用情况下剩余电流低、机壳尺寸也要很小。直流 / 直流转换器中不需要电隔离，因为电池本身就是隔离的电源， Recom 的 R-78 系列开关稳压器很适合此类应用。
2008-10-14
DC/DC转换器 Recom SMD
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单电源运算放大器的偏置与去耦电路设计
目前在许多手持设备、汽车以及计算机等设备只用单电源供电，但是单电源容易出现不稳定问题，因此需要在电路外围增加辅助器件以提高稳定性。在这样的电路中有一些严重的局限性。 本文介绍单电源运算放大器的偏置与去耦电路设计的方法解决这些问题。
2008-10-14
偏置电路 旁路信号 SGM8541 去耦电路
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采用功率因数校正技术将功耗降至最低
对于数百瓦到千瓦的AC-DC电源，其效率取决于功率因子校正 (PFC)和后级的DC-DC变换效率。尽管人们今天已经能较好地理解DC-DC变换器的成本和性能间的利弊权衡，但从电路和控制技术的角度来讲，PFC技术一直处于落后状态。不过，这种局面最近已经开始改变。本文将讨论该技术领域的一些发展，以及电源设...
2008-10-14
PFC 升压二极管 CCM变换器 EMI
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PA-Cap○R聚合物片式叠层铝电解电容器的特点及其应用
新型电容器——PA-Cap聚合物片式叠层铝电解电容器，技术指标达到或接近国际先进水平，具有超越现有液体铝电解电容器和固体钽电解电容器的卓越电性能；稳定的频率特性和温度特性，宽温长寿命高可靠性。广泛应用于笔记本电脑、平板显示器、移动DVD、通讯电源、汽车电子、仪器仪表等高端数字化电子中。
2008-10-14
固体电解电容器 DC/DC转换器 滤波 PA-Cap
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