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SiC FET的起源及其向着完美开关发展的历程
使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是，碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本白皮书追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代技术进行了比较。
2022-07-01
SiC FET 起源 UnitedSiC
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英飞凌绝缘体上硅(SOI)高压驱动芯片的三个优势
现在的高功率变频器和驱动器承载更大的负载电流。如下图1 所示：由于功率回路里的寄生电感（主要由功率器件的封装引线和PCB的走线产生的），电路中VS脚的电压会从高压母线电压（S1通S2关时）变化到低于地的负压（S1关闭时）。图一右边波形中的红色部分就是VS脚在半桥感性负载电路中产生的瞬态负电压。
2022-06-28
英飞凌 SOI 驱动芯片
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ATE引脚电子器件的电平设置DAC校准
本文提供一种校准数模转换器(DAC)的方法，专用于引脚电子器件驱动器、比较器、负载、PMU和DPS。DAC具有差分非线性(DNL)和积分非线性(INL)等非线性特性，我们可以通过增益和偏置调整来尽可能降低这些特性。本文描述如何执行这些校准，以改善电平设置性能。
2022-06-28
ATE 引脚电子器件 DAC
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适用于任何化学物的简单电池充电器IC
许多由电池供电的设备通常需要各种各样的充电电源、电池化学组成、电压和电流。例如，随着适合所有类型电池化学组成的新型大电池组出现，功能丰富的高端消费型、医疗、工业和汽车电池充电器电路都需要更高电压和电流。此外，支持宽功率范围的太阳能电池板也用于为各种采用可充电密封铅酸(SLA)电池和...
2022-06-28
化学物 电池充电器 IC
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在IC电源管理这个新领域，有哪些物联网最佳应用？
本文探讨物联网(IoT)电池技术。将描述设计人员面临的一些电源问题，以及ADI公司提供的解决方案。这些解决方案非常高效，可以帮助克服物联网设备中的其他问题，包括尺寸、重量和温度。
2022-06-28
IC 电源管理 物联网
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玩转PoE智能照明，我们帮你从“芯”开始
历经多年的发展，智能照明已经深入人心：一方面它能够大大提升电能的利用效率，实现节能减排、绿色照明；另一方面，它也从根本上改变了人们对电灯这个“古老”的电器的使用方式，提供了全新的用户体验——对于这样的技术，人们当然是不得不爱。
2022-06-27
PoE 智能照明 贸泽
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英飞凌140W(28V/5A) USB-PD3.1 高功率密度方案
随着市场对笔记本电脑快充需求的增加，英飞凌针对28V输出， 推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了长期以来的100W功率限制，最高功率可达到140W，进一步提高笔记本的充电效率，可以满足更大功率的设备供电。
2022-06-27
英飞凌 USB-PD 方案
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