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利用宽带隙半导体技术提高功率转换效率
宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用，包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征，并将它与其他方法进行了对比。
2021-09-01
宽带隙半导体技术 功率转换效率
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改进JBS结构以降低泄漏电流和提高浪涌电流能力
肖特基二极管（SBD）具有反向恢复时间（trr）短、正向电压（VF）低等优点，但也存在泄漏电流大等缺点。东芝的SiC SBD使用改进的结构克服了这个缺点。
2021-09-01
JBS结构 泄漏电流 浪涌电流
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高速线缆仿真解决方案
随着5G时代的到来，高速线缆已经成为系统中必不可少的一部分。线缆的设计由原来的只是完成物理连接的目的，朝着高性能、高可靠性、小型化、多样化、高精度、低成本等方向发展。有没有什么办法可以快速建立线缆模型并评估线缆的信号质量？有没有一种可靠的方法，能够快速获取线缆与连接器对于整个系...
2021-09-01
高速线缆 仿真 解决方案
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Dialog为OceanMedallion可穿戴设备提供具备WiRa功能的芯片解决方案
中国北京，2021年8月24日 – 领先的电池和电源管理、Wi-Fi、低功耗蓝牙（BLE）、工业边缘计算解决方案供应商Dialog半导体公司（德国证券交易所交易代码：DLG）今天宣布，嘉年华邮轮集团（Carnival Corporation）将在其OceanMedallion™可穿戴设备中采用Dialog的无线测距WiRa™技术，实现近距离定位功能...
2021-09-01
嘉年华邮轮 可穿戴设备 芯片方案
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安森美AR0234CS图像传感器获人工智能产品创新奖
安森美(onsemi，纳斯达克股票代号：ON)宣布其全局快门AR0234CS 230万像素CMOS图像传感器在“2021年中国人工智能卓越创新奖”评选中获选为“最具创新价值产品奖”。
2021-09-01
安森美 图像传感器 人工智能
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使用增强模式NMOS晶体管的简单差分放大器
本次实验旨在研究使用增强模式NMOS晶体管的简单差分放大器。2021年6月学子专区文章 中提出的关于硬件限制问题的说明对本次实验也是有效的。通过提高信号电平，然后在波形发生器输出和电路输入之间放置衰减器和滤波器（参见图1），可以改善信噪比。本次实验需要如下材料：
2021-09-01
增强模式 NMOS晶体管 差分放大器
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七步设计反激式变换器
在当今众多的变换器拓扑结构中，反激式拓扑是最常用的一种。尽管很简单，但这种变换器设计却赋予很多应用巨大的优势。近年来，很多更新、更复杂的拓扑结构不断出现，但反激式变换器设计仍然很流行。
2021-09-01
电路设计 反激式变换器
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