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光敏电阻从原理到国产替代的全面透视与选型指南
光敏电阻（Photoresistor/LDR）是一种基于光电导效应的半导体器件，其电阻值随入射光强度变化而改变。核心材料为硫化镉（CdS）、硒化镉（CdSe）等半导体，通过光照激发载流子（电子-空穴对），降低材料电阻值。无光照时，暗电阻可达1.5MΩ；强光照下，亮电阻可低至1kΩ以下。
2025-05-20
光敏电阻
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MOSFET技术解析：定义、原理与选型策略
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种通过栅极电压控制源漏电流的半导体器件，具备高输入阻抗、低功耗、高频特性等优势，广泛应用于电源管理、电机驱动、通信设备等领域。
2025-05-20
MOSFET
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线绕电阻与金属膜电阻技术对比及选型指南
在电子电路设计中，电阻作为基础元件，其性能直接影响电路的稳定性与精度。线绕电阻与金属膜电阻作为两大主流类型，在技术特性与应用场景上存在显著差异。线绕电阻以高精度、强过载能力著称，常用于工业控制、仪器仪表等对稳定性要求严苛的领域；而金属膜电阻则凭借小型化、低成本优势，广泛应用于...
2025-05-20
线绕电阻 金属膜电阻
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中微公司在TechInsights 2025半导体供应商奖项调查中荣获两项第一
在全球技术分析和知识产权服务提供商TechInsights举办的2025年半导体供应商奖项调查(Semiconductor Supplier Awards Survey)中荣获六大奖项，其中在WFE基础芯片制造商（WFE to Foundation Chip Makers）、薄膜沉积设备（Deposition Equipment）两个榜单中位列第一。
2025-05-19
中微公司
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线绕电阻与碳膜电阻技术对比及选型指南
线绕电阻采用镍铬合金等高电阻率金属丝绕制在陶瓷骨架上，表面覆盖绝缘釉层。其电阻值由绕线长度、线径及合金成分决定，典型温度系数可达±5ppm/℃，精度可达0.01%（E96系列）。碳膜电阻则通过真空沉积工艺在陶瓷基体形成碳基薄膜，电阻值由膜层厚度和碳浓度控制，温度系数通常为±200ppm/℃，精度范围0...
2025-05-18
线绕电阻 碳膜电阻
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从实验室到市场：碳化硅功率器件如何突破可靠性瓶颈
从 MOSFET 、二极管到功率模块，功率半导体产品是我们生活中无数电子设备的核心。 从医疗设备和可再生能源基础设施，到个人电子产品和电动汽车 (EV)，它们的性能和可靠性确保了各种设备的持续运行。
2025-05-16
安森美 碳化硅
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厚膜电阻在通信基础设施中的关键应用与技术突破
随着5G通信技术的商用化进程加速，通信基础设施对元器件的性能要求日益严苛。厚膜电阻凭借其优异的高频特性、精密控制能力和环境适应性，在5G基站电源、光模块驱动等核心场景中扮演着不可替代的角色。本文以Yageo RC系列和BOURNS 3590S系列为例，深入剖析其在通信基础设施中的技术实现与应用价值。
2025-05-16
厚膜电阻 通信基础设施
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贸泽电子联合ADI与Samtec发布工业AI/ML电子书：探索工业自动化未来
业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子宣布与ADI和Samtec合作推出全新电子书《9 Experts Discuss Robotics, AI, and ML in Industrial Applications》（9位专家探讨工业应用中的机器人、AI和ML），探讨机器人、人工智能 (AI) 和机器学习 (ML) 如何改变制造业、物流业等领域的格局。通过精密运动控...
2025-05-16
贸泽电子 ADI Samtec 机器人 AI ML领域
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工程师必看！从驱动到热管理：MOSFET选型与应用实战手册
MOSFET因其独特的性能优势，已成为模拟电路与数字电路中不可或缺的元件，广泛应用于消费电子、工业设备、智能手机及便携式数码产品中。其核心优势体现在三个方面：驱动电路设计简化，所需驱动电流远低于BJT，可直接由CMOS或集电极开路TTL电路驱动；开关速度优异，无电荷存储效应，支持高速工作；热...
2025-05-15
MOSFET 选型 应用实战 热管理
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