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测试测量

国内锗基MOS器件的研究进展

对于高性能的MOS器件而言，良好的界面对于提升MOS器件的迁移率非常重要，由于high-k/Ge的界面稳定性较差，在界面处存在的大量的缺陷形成载流子的散射中心，阻碍了高迁移率的获得，进而严重影响器件的最终性能。本文讲述了中国科学院微电子研究所在这一方面研究上的显著进展。

2012-10-31

锗基 MOS

可作为太赫兹倍频器核心元件的肖特基二极管器件和石英电路

中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室太赫兹器件研究组研制出截止频率达到3.37THz的太赫兹肖特基二极管和应用于太赫兹频段的石英电路，可作为太赫兹倍频器核心元件，经中电集团41所验证，性能与国际同类产品相当。

2012-10-31

太赫兹肖特基二极管石英电路

麦瑞推出工作电流消耗仅为2.5毫安的低噪声放大器

麦瑞半导体公司今天宣布推出带有低功耗休眠模式的100MHz至1000MHz低噪声放大器（LNA）MICRF300，面向100MHz至1000MHz频率范围的无钥匙进入（RKE）、车库门遥控开关（GDO）和自动抄表（AMR）等低功耗、低数据传输率应用。

2012-10-31

麦瑞低噪声放大器

第80届中国电子展今日上海开幕

中国最大电子展迎来80届盛典，今日在上海新国际博览中心隆重开幕。一直被誉为中国电子信息产业晴雨表的中国电子展，在当前全球经济不景气的情况下，继续成为众多电子企业重视和依赖的交流平台，使得展商同比去年增长4.5%。新能源、数码消费电子、绿色环保概念等成为了本届展会的几大亮点。

2012-10-30

中国电子展

中国电子展喜迎八十届庆典

2012年10月30日，中国电子展（CEF）（www.iCEF.com.cn/fall）将在上海新国际博览中心迎来第80届盛典。享有“中国电子第一大展”美誉的CEF将集中体现电子信息产业的技术方向，全面展示国内外高新技术企业在电子元器件、电子材料、电子生产设备、仪器仪表、光电显示、集成电路、IT、消费类电子等方面的...

2012-10-30

中国电子展

ST量产F3微控制器:基于Cortex-M4 具成本优势

意法半导体量产F3微控制器，以Cortex-M4处理器内核的系统级芯片为基础，优化的系统架构使其能有效控制并处理电路板内的混合信号，如三相电机控制、生物识别和工业传感器输出或音频滤波器等。

2012-10-30

ST 微控制器 Cortex-M4

NXP推出集成功率因数校正的半桥谐振控制器

恩智浦半导体日前宣布推出 SSL4120，这是一款集成功率因数校正 (PFC) 的 GreenChip 半桥谐振控制器，可支持最高达400W的高功率 LED 应用。单芯片 SSL4120 是一款高效解决方案，用于高功率 LED 应用，例如办公照明、商场照明、高棚和低棚照明、停车场照明、广场照明和街道照明。

2012-10-30

NXP 控制器 LED

TI推出基于蓝牙4.0技术的无线器件

德州仪器 (TI) 宣布：TI 及其分销合作伙伴现已开始推出基于蓝牙 (Bluetooth) v4.0 技术、采用易集成型 QFN 封装的 CC2560 与 CC2564 无线器件，以嵌入式应用最完整的无线连接产品组合位居业界领先地位。此外，TI 还宣布推出了基于这两款器件的其它生产就绪型模块以及软件工具。该 QFN 封装与各种模...

2012-10-30

TI 蓝牙4.0 QFN 器件

激光干涉仪工作原理解析

干涉仪是以激光波长为已知长度、利用迈克耳逊干涉系统测量位移的通用长度测量工具。激光干涉仪有单频的和双频的两种。单频的是在20世纪60年代中期出现的，最初用于检定基准线纹尺，后又用于在计量室中精密测长。

2012-10-30

激光干涉仪干涉仪

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