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保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏
功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电（ESD)损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。
2022-06-13
IGBT MOSFET ESD
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在自动驾驶汽车中实现5G和DSRC V2X
很显然，车辆通信是实现更高的自动驾驶水平的重要推动因素。但是，长期以来，汽车厂商一直在研究分析所需的无线接入技术应基于蜂窝技术（也称为C-V2X）还是基于直接接入技术（称为DSRC）。在本文中，我们将展示未来的自动驾驶场景需要协调或组合使用这两种技术。先进的多无线标准设备需要集成分别采...
2022-06-10
自动驾驶汽车 5G DSRC V2X
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安霸CV2FS/CV22FS获得ASIL C芯片功能安全认证，超越市场同类芯片水平
2022年6月7日，美国加利福尼亚州圣克拉拉市，Ambarella (下称“安霸”，纳斯达克股票代码：AMBA，专注AI视觉感知的半导体公司) 于今天宣布，其汽车AI视觉感知芯片（SoC）CV2FS/CV22FS成功通过exida的ASIL C芯片功能安全认证，获得证书，并且其内置的功能安全岛为ASIL D级别。CV2FS/CV22FS这一功能安全...
2022-06-08
安霸 CV2FS/CV22FS 芯片
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异步DC-DC升压转换器（包含续流二极管）还能实现低辐射吗？
本文尝试展示带分立式续流二极管的异步转换器如何还能实现低辐射。其中将会介绍不同类型的转换器、布局和封装，以及为何受控开关非常有效，还会详细介绍在CISPR 25 5类辐射测试中，低EMI评估电路的通过测试结果。
2022-06-08
DC-DC升压转换器 低辐射 ADI
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25 kW SiC直流快充设计指南(第三部分)：PFC仿真
在本系列的前几篇文章中，我们介绍了电动车快充系统的主要系统要求，概述了系统开发过程中的关键阶段以及认识了参与设计25 kW SiC直流快充系统的工程师团队。
2022-06-07
SiC 直流快充 PFC仿真
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IGBT窄脉冲现象解读
IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关门太快容易挤压手一样，过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。这种现象随着IGBT被高频PWM调制信号驱动时，时常会无奈发生，占空比越小越容易输出窄脉冲，且IGBT反并联续流二极管FWD在硬开关续...
2022-06-03
IGBT 窄脉冲
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瑞萨电子为加速电动汽车电池管理系统开发推出复合驱动软件
2022 年 6 月 2 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，面向电动汽车（EV）车载电池管理系统（BMS）设计人员推出符合AUTOSAR标准的复合驱动程序（CDD）软件模块。此款全新软件与广受业界好评的瑞萨ISL78714锂离子电池管理IC配合使用，以加速下一代系统的设计并...
2022-06-02
瑞萨电子 电池管理系统 驱动软件
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汽车级IGBT/SiC模块驱动器应该怎么用？首款唯一车硅认证栅极驱动板简化设计
就在德国纽伦堡PCIM Europe展会的最后一天，Power Integrations（PI）在线上举办新品沟通会，PI资深技术培训经理Jason Yan讲解了一个汽车级IGBT/SiC（碳化硅）模块驱动器系列产品——适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列栅极驱动板。
2022-06-02
IGBT/SiC 栅极驱动板 设计
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如何计算驱动芯片的desat保护时间
SiC MOSFET短路时间相比IGBT短很多，英飞凌CoolSiC™ MOSFET单管保证3us的短路时间，Easy模块保证2us的短路时间，因此要求驱动电路和的短路响应迅速而精确。今天，我们来具体看一下这个短而精的程度。
2022-06-02
驱动芯片 desat 保护时间
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