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功率半导体冷知识之二：IGBT短路时的损耗
IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。
2022-06-17
功率半导体 IGBT 损耗
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有源前端整流器
介绍针对电动汽车充电器的最佳SiC功率拓扑和调制决策的设计技巧，利用指导拓扑和调制决策，有助于消除不可行选项，转而关注那些可能表现良好的选项。
2022-06-17
电动汽车 整流器
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集成智能第1部分：EMI管理
智能的集成电机驱动器和无刷直流 (BLDC) 电机都有助于使电动汽车和下一代汽车更具吸引力、更安全和更可靠。集成电机驱动器组合了驱动电机所需的一切，例如场效应晶体管 (FET)、栅极驱动器和状态机（如图1所示）。集成可消除从电子控制单元 (ECU) 到电机的长布线，并具有印刷电路板 (PCB) 尺寸更小和...
2022-06-16
电机驱动器BLDC EMI
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SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
随着制备技术的进步，在需求的不断拉动下，碳化硅（SiC）器件与模块的成本逐年降低。相关产品的研发与应用也得到了极大的加速。尤其在新能源汽车，可再生能源及储能等应用领域的发展，更是不容小觑。
2022-06-15
SiC MOSFET 驱动电压
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25kW SiC直流快充设计指南(第六部分)：用于电源模块的栅极驱动系统
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我们从硬件角度和控制策略上广泛介绍了25 kW电动汽车充电桩的开发。图1代表到目前为止所讨论的系统。
2022-06-15
直流快充 电源模块 栅极驱动
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性能出众的1200V第四代SiC FET为高压市场提供了优秀的SiC功率解决方案
UnitedSiC（现名Qorvo）扩充了其1200V产品系列，将其突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧，现以TO247-4L（采用开尔文连接）封装提供，而1200V的53毫欧和70毫欧SiC FET还以TO247-3L封装提供。这些新发布的SiC FET具有不凡的性能，...
2022-06-15
SiC FET 高压市场 解决方案
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电解电容
在博文 基于光耦的LED振荡电路[1] 介绍了一款基于光耦的多谐振荡电路，对于光耦前向耦合电流增益的特性进行了讨论。博文分别被公众号 TSINGHUAZHUOQING[2] 与 电子工程专辑[3] 转载。
2022-06-14
电解电容 光耦 振荡电路
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电解电容
在博文 基于光耦的LED振荡电路[1] 介绍了一款基于光耦的多谐振荡电路，对于光耦前向耦合电流增益的特性进行了讨论。博文分别被公众号 TSINGHUAZHUOQING[2] 与 电子工程专辑[3] 转载。
2022-06-14
电解电容 光耦 振荡电路
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电动汽车对提高车辆效率的需求正在改变供应链
几年来，xEV的普及率一直很高。预计2021至2027年间，全球xEV市场的复合年增长率将达到21%，所有细分市场的复合年增长率都将加快。随着BEV采用率的快速增长，混合动力技术也将大幅增长。事实上，不同技术的普及率取决于地区。
2022-06-13
电动汽车 车辆效率 供应链
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