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SiC FET的起源及其向着完美开关发展的历程

使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是，碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本白皮书追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代技术进行了比较。

2022-07-01

SiC FET 起源 UnitedSiC

英飞凌绝缘体上硅(SOI)高压驱动芯片的三个优势

现在的高功率变频器和驱动器承载更大的负载电流。如下图1 所示：由于功率回路里的寄生电感（主要由功率器件的封装引线和PCB的走线产生的），电路中VS脚的电压会从高压母线电压（S1通S2关时）变化到低于地的负压（S1关闭时）。图一右边波形中的红色部分就是VS脚在半桥感性负载电路中产生的瞬态负电压。

2022-06-28

英飞凌 SOI 驱动芯片

驱动器源极引脚的效果：双脉冲测试比较

在上一篇文章中，我们通过工作原理和公式了解了有无驱动器源极引脚的差异和效果。有驱动器源极引脚的MOSFET可以消除源极引脚的电感带来的影响，从而可降低开关损耗。在本文中，我们将通过双脉冲测试来确认驱动器源极引脚的效果。

2022-06-24

驱动器源极引脚双脉冲测试

利用PMBus数字电源系统管理器进行电流检测——第二部分

本文第二部分介绍如何测量高压或负供电轨上的电流，以及如何为IMON检测方法设置配置寄存器。本文阐述了测量电流的精度考虑因素，并提供了使用LTpowerPlay®进行器件编程的相关说明。在第一部分，我们介绍了电流检测的基本概念，包括各种方法和电路拓扑。

2022-06-24

PMBus 数字电源系统电流检测

消除ISO 26262功能安全认证过程中的各种障碍

现今，汽车的各种应用中无不使用数百到数千种半导体和其他组件，例如触摸界面、车载充电器、电池管理系统等等。严格的国际标准化组织（ISO）26262功能安全规范可确保这些日益复杂和精密的应用安全运行。然而，开发合规设计及获得认证的过程十分耗时且成本高昂。随着半导体行业为汽车原始设备制造商...

2022-06-23

ISO 26262 Microchip 汽车应用

基于功率电感饱和特性要求的电感设计与选型优化

分析了功率电感饱和特性产生的原因，并且提出一个假设模型解释饱和特性与电感内部气隙宽度之间的关系并且由此说明软饱和特性和硬饱和特性的产生即由此关系决定。从电感的饱和特性出发通过建立内部设计的关键参数并由此得出最优化的设计选择，通过设计示例反映不同的设计出发点下对应的性能指标差异...

2022-06-23

功率电感饱和特性选型

安森美被纳入标普500指数

领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在美国时间6月21日开盘交易前被纳入标普500®指数。安森美被纳入该指数紧接着公司在2021年的财政年度收入达到有史以来最高的67.4亿美元，同比增长28.3%，且最近还获认定入榜《财富》美国500强。

2022-06-22

安森美 ADAS 替代能源

DC-DC升压稳压器外围元器件的选择与优化

在便携和可穿戴设备等电池供电的低电压应用中，常有一些功能需要较高的电压才能工作，例如射频收发器、精密模拟电路、白光LED背光驱动、雪崩光电二极管(APD)的偏置电路等。这就需要采用DC-DC升压转换器来向上转换到所需的电压，让设备既节能又高效的工作。

2022-06-21

DC-DC 升压稳压器外围元器件

如何有效地比较CMOS开关和固态继电器的性能

源极和漏极之间的关断电容CDS(OFF)可用来衡量关断开关后，源极信号耦合到漏极的能力。它是固态继电器（如PhotoMOS®、OptoMOS®、光继电器或MOSFET继电器）中常见的规格参数，在固态继电器数据手册中通常称为输出电容COUT。CMOS开关通常不包含此规格参数，但关断隔离度是表征相同现象的另一种方法，关...

2022-06-20

CMOS开关固态继电器

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