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SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨

随着制备技术的进步，在需求的不断拉动下，碳化硅（SiC）器件与模块的成本逐年降低。相关产品的研发与应用也得到了极大的加速。尤其在新能源汽车，可再生能源及储能等应用领域的发展，更是不容小觑。

2022-06-15

SiC MOSFET 驱动电压

25kW SiC直流快充设计指南(第六部分)：用于电源模块的栅极驱动系统

在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我们从硬件角度和控制策略上广泛介绍了25 kW电动汽车充电桩的开发。图1代表到目前为止所讨论的系统。

2022-06-15

直流快充电源模块栅极驱动

性能出众的1200V第四代SiC FET为高压市场提供了优秀的SiC功率解决方案

UnitedSiC（现名Qorvo）扩充了其1200V产品系列，将其突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧，现以TO247-4L（采用开尔文连接）封装提供，而1200V的53毫欧和70毫欧SiC FET还以TO247-3L封装提供。这些新发布的SiC FET具有不凡的性能，...

2022-06-15

SiC FET 高压市场解决方案

电解电容

在博文基于光耦的LED振荡电路[1] 介绍了一款基于光耦的多谐振荡电路，对于光耦前向耦合电流增益的特性进行了讨论。博文分别被公众号 TSINGHUAZHUOQING[2] 与电子工程专辑[3] 转载。

2022-06-14

电解电容光耦振荡电路

电解电容

2022-06-14

电解电容光耦振荡电路

电动汽车对提高车辆效率的需求正在改变供应链

几年来，xEV的普及率一直很高。预计2021至2027年间，全球xEV市场的复合年增长率将达到21%，所有细分市场的复合年增长率都将加快。随着BEV采用率的快速增长，混合动力技术也将大幅增长。事实上，不同技术的普及率取决于地区。

2022-06-13

电动汽车车辆效率供应链

保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏

功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电（ESD)损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。

2022-06-13

IGBT MOSFET ESD

在自动驾驶汽车中实现5G和DSRC V2X

很显然，车辆通信是实现更高的自动驾驶水平的重要推动因素。但是，长期以来，汽车厂商一直在研究分析所需的无线接入技术应基于蜂窝技术（也称为C-V2X）还是基于直接接入技术（称为DSRC）。在本文中，我们将展示未来的自动驾驶场景需要协调或组合使用这两种技术。先进的多无线标准设备需要集成分别采...

2022-06-10

自动驾驶汽车 5G DSRC V2X

安霸CV2FS/CV22FS获得ASIL C芯片功能安全认证，超越市场同类芯片水平

2022年6月7日，美国加利福尼亚州圣克拉拉市，Ambarella (下称“安霸”，纳斯达克股票代码：AMBA，专注AI视觉感知的半导体公司) 于今天宣布，其汽车AI视觉感知芯片（SoC）CV2FS/CV22FS成功通过exida的ASIL C芯片功能安全认证，获得证书，并且其内置的功能安全岛为ASIL D级别。CV2FS/CV22FS这一功能安全...

2022-06-08

安霸 CV2FS/CV22FS 芯片

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