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如何设计可靠性更高、尺寸更小、成本更低的高电压系统解决方案
工厂自动化设备、电网基础设施应用、电机驱动器和电动汽车 (EV) 等高电压工业和汽车系统能够产生数百至数千伏的电压，这不仅会缩短设备寿命，甚至会给人身安全带来重大风险。本文介绍如何利用全新隔离技术来保证这些高电压系统的安全，从而提高可靠性，同时缩小解决方案尺寸并降低成本。
2022-07-06
高电压系统 解决方案 TI
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生导通行为研究
米勒电容引起的寄生导通常被认为是碳化硅MOSFET的弱点。为了避免这种效应，硬开关逆变器通常采用负栅极电压关断。但是，这对于CoolSiC™MOSFET真的是必要的吗？
2022-07-06
CoolSiC MOSFET 寄生导通
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从负供电轨生成正电压，这种简单高效且组件少的电路你要知道
有时候您需要正电源，但大部分可用的供电轨（或仅有的可用供电轨）提供的都是负电源。事实上，负到正电压转换已用于汽车电子，以及各种音频放大器、工业和测试设备的偏置电路中。虽然在许多系统中是电源通过相对于地的负供电轨分配，但这些系统中的逻辑板、ADC、DAC、传感器和类似器件仍然需要一个...
2022-07-05
负供电轨 正电压 ADI
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用于汽车负载应用的上桥SmartFET驱动器
上桥SmartFET因其易于使用和高水平的保护而越来越受欢迎。与标准MOSFET一样，SmartFET非常适合各种汽车应用。它们的区别在于内置在上桥SmartFET器件中的控制电路。控制电路持续监控输出电流和器件温度，同时针对电压瞬变和其他意外应用条件提供被动保护。这种主动和被动保护功能的结合确保了稳定可...
2022-07-04
汽车负载 SmartFET 驱动器
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IQE宣布与Lumentum达成长期战略供应协议
IQE plc（AIM 股票代码：IQE，以下简称“IQE”或“集团”），全球领先的化合物半导体晶圆产品和先进材料解决方案供应商，近日宣布与 Lumentum 签署一项长期协议，为其提供支持 3D 传感、汽车激光雷达 (LiDAR) 和光网络应用的外延片。
2022-07-01
IQE Lumentum 晶圆
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车载以太网100Base-T1ESD器件保护方案
随着汽车的数字电子化、自动驾驶系统的需求，传统的CAN、LIN汽车通讯协议已经不能满足汽车的信号传输数据需求，以太网正是其中一个比较理想的改进方案;它能同时适用于域控制(Domain Control)和区块控制(Zonal Control)。
2022-07-01
车载以太网 ESD器件 方案
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为ADAS设计更好的高电流开关电源！
在如今的车辆之中，高级驾驶员辅助系统(ADAS)的重要性与日俱增。它们可以帮助尽可能减少人为操作错误，提升驾驶员和道路安全。早期的ADAS只包含单个自动驾驶员辅助功能，例如使用一个雷达传感器的自适应巡航控制功能。现在，越来越多的ADAS功能被应用到汽车上，例如自动紧急停车、盲点监测、车辆/行...
2022-07-01
ADAS设计 开关电源
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SiC FET的起源及其向着完美开关发展的历程
使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是，碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本白皮书追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代技术进行了比较。
2022-07-01
SiC FET 起源 UnitedSiC
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英飞凌绝缘体上硅(SOI)高压驱动芯片的三个优势
现在的高功率变频器和驱动器承载更大的负载电流。如下图1 所示：由于功率回路里的寄生电感（主要由功率器件的封装引线和PCB的走线产生的），电路中VS脚的电压会从高压母线电压（S1通S2关时）变化到低于地的负压（S1关闭时）。图一右边波形中的红色部分就是VS脚在半桥感性负载电路中产生的瞬态负电压。
2022-06-28
英飞凌 SOI 驱动芯片
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