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开发基于碳化硅的25 kW快速直流充电桩：方案概述
在本系列文章的第一部分中，[1]我们介绍了电动车快速充电器的主要系统要求，概述了这种充电器开发过程的关键级，并了解到安森美(onsemi)的应用工程师团队正在开发所述的充电器。现在，在第二部分中，我们将更深入研究设计的要点，并介绍更多细节。特别是，我们将回顾可能的拓扑结构，探讨其优点和权...
2022-01-28
碳化硅 直流充电桩 方案
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在当今高压半导体器件上执行击穿电压和漏流测量
在经过多年研究和设计之后，碳化硅(SiC)和氮化镓 (GaN)功率器件正变得越来越实用。这些器件尽管性能很高，但它们也带来了许多挑战，包括栅极驱动要求。SiC要求的栅极电压(Vgs)要高得多，在负偏置电压时会关闭。GaN的阈值电压(Vth)则低得多，要求严格的栅极驱动设计。宽带隙(WBG)器件由于物理特点，...
2022-01-27
高压半导体器件 击穿电压 漏流测量
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担心栅极驱动器的绝缘能力？采用'BIER'测试吧
最新的宽带间隙（WBG）半导体正走向最理想的状态，也就是具有高电压和低损耗的超快速切换，而现代的MOSFET和沟槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下桥臂电路中的快速切换会将瞬态电压耦合到栅极驱动电路，从而造成混乱或损坏，同时上桥臂栅极驱动器的信号和电源隔离还会受到应力影响。本文将探讨...
2022-01-27
栅极驱动器 绝缘能力 BIER测试
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谈一谈电源系统噪声来源
今天在和朋友交流电力电子的问题时谈到了电源系统的噪声的问题。这里面牵扯到了如何更好的设计电源系统和如何更好的设计电子产品系统。电源系统涉及能源的转换、电源的转换、电源的传递等等。对于电子产品而言，电源主要是交流（AC）通过电源模块转化为直流（DC）、DC转递给用电端（负载芯片）使用...
2022-01-27
电源系统 噪声 来源
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贸泽电子授权分销超49000种Amphenol产品
2022年1月26日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 分销全球知名互联系统供应商Amphenol Corporation的新款产品和解决方案。贸泽备货Amphenol及其41个部门的全系列产品，总数超过49600种。
2022-01-26
贸泽电子 授权分销 Amphenol
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PMDE封装的实机评估
本文将使用车载LED驱动器BD81A44EFV-M及其评估板，对PMDU和PMDE的发热和效率进行比较评估，并以车载LED驱动器BD81A44EFV-M及其评估板确认其结果。
2022-01-26
PMDE封装 实机评估
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IGBT和MOSFET该用谁？你选对了吗？
半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极型功率管，是由双极型三极管（BJT）和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和BJ...
2022-01-26
IGBT MOSFET
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如何构建功能安全的小型48V、30kW MHEV电机驱动系统
减少温室气体(GHG)排放的全球性举措推动了汽车的发展，要求汽车制造商提高新车动力总成的电气化水平。轻混合动力电动汽车(MHEV)采用48V电机驱动系统来帮助减少内燃机(ICE) 的GHG排放，已成为实现合规性的极具吸引力的选择，因为这种汽车的实现成本远远低于全混合动力电动汽车。本白皮书介绍如何使用...
2022-01-25
电机驱动 系统 MHEV
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IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么？
我们常常被告诫：实际应用中，IGBT集电极电压绝对不能超过额定值，否则器件有可能被击穿。然后有的同学并不死心：如果我只超了一点点呢，1210V就会击穿吗？如果只是一个非常短非常短，比如只有1us的脉冲呢？功率器件也没那么脆弱啊对不对？
2022-01-25
IGBT 集电极电压 额定电压
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