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探讨正电压浪涌的对策和其效果
在上一篇文章中，给出了一个针对栅极-源极电压中产生的浪涌的抑制电路示例。本文将会通过示例来探讨正电压浪涌的对策和其效果。
2022-02-11
正电压浪涌 对策
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理想开关自身会带来挑战
随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关，电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题，并带来更高的效率增益。
2022-02-10
理想开关自身会带来挑战
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如何快速了解预采购的电源器件性能？
自第二次工业革命之后，人类社会的发展和电能深度绑定，电气/电子设备被广泛应用于工业、医疗、能源、交通、民生等各个领域。随着用电设备从单一回路逐渐演变成为系统，将电能合理、有效地分配给系统中的每个器件尤为重要。一个优秀的电源管理系统不仅能够保障系统的用电安全，更是设备做到高效节能...
2022-02-10
电源器件 性能
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如何快速有效地实施灵活的EV充电系统？
电动汽车的发展趋势依赖于公共服务站电动汽车 (EV) 充电基础设施的预期可用性，并且可以通过在用户的住家和工作场所安装合适的充电系统来加速发展。尽管核心设计要求基本一致，但每一种系统都有专门的要求，从通信平台到合规性要求等因素的地区差异又让这种情况更加复杂。
2022-02-09
电动汽车 EV充电系统
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带有空片检测功能的STM32需注意的GPIO设计
从STM32F0部分型号开始，比如STM32F04x和STM32F09x，STM32越来越多的型号具有了空片检测（Empty Check）功能。以前，STM32的启动由BOOT0和BOOT1来决定，在引入了空片检测功能之后，则在BOOT0=0的情况下，还需要分两种情况：
2022-02-09
空片检测 STM32 GPIO
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SiC功率器件使用过程中的常见问题集（上）
由于SiC 材料具有更高的击穿场强、更好的热稳定性、更高的电子饱和速度及禁带宽度，因此能够大大提高功率器件的性能表现。相较于传统的Si功率器件，SiC 器件具有更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化。当前碳化硅功率器件主...
2022-02-09
SiC功率器件 派恩杰
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针对SiC串扰抑制方法的测试报告
近年来，以SiCMOSFET 为代表的宽禁带半导体器件因其具有高开关频率、高开关速度、高热导率等优点，已成为高频、高温、高功率密度电力电子变换器的理想选择。然而随着SiC MOSFET开关速度加快，桥式电路受寄生参数影响加剧，串扰现象更加严重。由于SiC MOSFET 正向阈值电压与负向安全电压较小，串扰问...
2022-02-08
SiCMOSFET 串扰抑制
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开关电源设计中的频率选择（下）
本文是深入研究开关频率设计的系列文章之下篇。上篇回顾了如何计算开关频率的关键指标，以及更高频率设计的难点所在。本文将把这些开关频率的概念应用到实际场景当中。
2022-02-07
开关电源 设计 频率
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识别并消除次谐波振荡
DC/DC的不稳定是由多种因素造成的，例如补偿参数不当或布局不足。本文将主要讨论次谐波振荡，这是一种当电流模式开关稳压器具有连续电感电流且占空比超过 50% 时可能产生的不稳定形式，而这种振荡会导致不稳定的电源。
2022-02-07
消除 次谐波振荡 开关稳压器
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