-
使用碳化硅进行双向车载充电机设计
电动汽车（EV）车载充电机（OBC）可以根据功率水平和功能采取多种形式，充电功率从电动机车等应用中的不到 2 kW，到高端电动汽车中的 22 kW 不等。传统上，充电功率是单向的，但近年来，双向充电越来越受到关注。本文将重点关注双向 OBC，并讨论碳化硅（SiC）在中功率（6.6 kW）和高功率（11 - 22 k...
2022-09-27
碳化硅 车载充电机
-
采用以太网AVB技术的时间敏感型车载网络
跨桥接网络实现面向数据分组的通信已成为一项全球标准。如今，它广泛应用于各种不同规模和复杂性各异的系统中，例如服务器和飞机、小型遥控设备、远程传感器以及许多物联网（IoT）应用。
2022-09-27
以太网 AVB技术 车载网络
-
器件封装是高效散热管理的关键
汽车行业发展创新突飞猛进，从底盘到动力总成，从信息娱乐系统到联网和自动化系统，汽车设计的方方面面都有着日新月异的进步。然而，为人诟病的电动汽车（EV）充电用时问题（特别是在旅途中充电）带来的巨大不便，阻碍了电动汽车的推广普及，因此，车载充电器（OBC）设计或许将成为备受关注的领域。
2022-09-26
器件封装 散热管理
-
如何设计最安全的CAN总线拓扑？
CAN总线的应用越来越广泛，工程师在各种不同工况下，如何选择最合适的网络拓扑方式呢？本篇文章将介绍主流的几种总线拓扑方式，以及如何解决CAN总线故障。
2022-09-23
CAN总线 拓扑
-
整流电容滤波负载实例
六期连载，整流电路AC/DC变换应用非常广泛，其中二极管整流在电机驱动中是主流的方案，而且功率范围很广，所以了解二极管整流工程设计非常重要。
2022-09-23
整流 电容滤波 负载
-
什么是雪崩失效
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩式增加的现象称为“雪崩击穿”。在这种雪崩击穿期间，与 MOSFET内部二极管电流呈反方向流动的电流称为“雪...
2022-09-22
MOSFET 失效机理 雪崩击穿
-
电动汽车充电的三大设计注意事项
用于商业和住宅用途的典型电动汽车 (EV) 充电站设计包括电能计量、剩余电流检测（交流和直流）、隔离安全合规性、继电器和接触器，还具有驱动功能、双向通信以及服务和用户界面。虽然充电站的目标是高效地将电力传输到车辆，但实现电力传输是其最初的功能。
2022-09-20
电动汽车 充电 设计
-
关断栅极电压欠冲对SiC MOSFET导通行为的影响
本文探讨了关断时发生的栅极电压欠冲对导通开关特性的影响。这种影响来自于阈值电压的迟滞效应，指栅偏压变化时，阈值电压的完全可恢复瞬态偏移。阈值电压的迟滞效应是由半导体-绝缘体界面缺陷中，电荷的短期俘获和释放引起的。因此，关断时的栅极电压欠冲会对碳化硅（SiC）MOSFET的开关特性产生影响。
2022-09-20
栅极电压欠冲 SiC MOSFET 导通
-
打破电动汽车“里程焦虑”，主驱能效如何升级？
因续航能力有限而导致的“里程焦虑”是许多消费者采用电动车的一个障碍。增加电池密度和提高能量转换过程的效率是延长车辆续航能力以缓解这种焦虑的关键。能效至关重要的一个关键领域是主驱逆变器，它将直流电池电压转换为所需的交流驱动，以为电机供电。
2022-09-19
电动汽车 主驱能效
- 噪声中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240电流检测芯片赋能多元高端测量场景
- 10MHz高频运行！氮矽科技发布集成驱动GaN芯片，助力电源能效再攀新高
- 失真度仅0.002%！力芯微推出超低内阻、超低失真4PST模拟开关
- 一“芯”双电！圣邦微电子发布双输出电源芯片，简化AFE与音频设计
- 一机适配万端：金升阳推出1200W可编程电源，赋能高端装备制造
- 二十而冠，向新而行 深圳村田科技有限公司20周年庆典暨新年会盛大举行
- 四大“超级大脑”驱动变革：英飞凌半导体赋能宝马集中式E/E架构
- 从涡流损耗分析到高密度架构：Bourns 在 APEC 2026 揭秘电源设计核心突破
- 迈向6G黄金频段：R&S携CMX500与AI工具集，定义未来网络测试新标准
- XMOS亮相Embedded World 2026：首发音频生成式SoC，共启边缘智能新纪元
- 车规与基于V2X的车辆协同主动避撞技术展望
- 数字隔离助力新能源汽车安全隔离的新挑战
- 汽车模块抛负载的解决方案
- 车用连接器的安全创新应用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
