你的位置:首页 > 互连技术 > 正文

MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)

发布时间:2021-12-08 责任编辑:lina

【导读】如果是D-MOS的情况,电场强度在P/N层接口处最强。当电场强度超过硅的极限时,会发生击穿现象,这就是电压极限。另一方面,如果是SJ-MOS的情况,电场强度在N层中是均匀的。


如果是D-MOS的情况,电场强度在P/N层接口处最强。当电场强度超过硅的极限时,会发生击穿现象,这就是电压极限。另一方面,如果是SJ-MOS的情况,电场强度在N层中是均匀的。


(1)SJ-MOS在N层具有柱状P层(P柱层)。P层和N层交替排列。(参见图3-9(b))


(2)通过施加VDS,耗尽层在N层中扩展,但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。(关于电场强度,参见图3-9(a)/(b)。电场强度将表示耗尽层的状态。


(3)如果是D-MOS的情况,电场强度在P/N层接口处最强。当电场强度超过硅的极限时,会发生击穿现象,这就是电压极限。另一方面,如果是SJ-MOS的情况,电场强度在N层中是均匀的。


(4)所以,SJ-MOS可采用具有较低电阻的N层设计,以实现低导通电阻产品。

采用与DMOS相同尺寸的芯片,SJ-MOS可以实现更低的导通电阻。


MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)

图3-9(a)D-MOS(π-MOS)的结构和电场


MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)

图3-9(b)SJ-MOS(DTMOS)的结构和电场


免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请电话或者邮箱editor@52solution.com联系小编进行侵删。


推荐阅读:

如何以经济实惠的方式将 EtherNet/IP、EtherCAT 和 PROFINET 添加到自动化工厂

如何使用 TI 毫米波占位传感器设计高能效的智能空调

SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有单电源正电压时如何实现负压?

优化信号链的电源系统 — 第3部分:RF收发器

干货 | 低成本 MCU 助力电池组系统实现强大功能

特别推荐
技术文章更多>>
技术白皮书下载更多>>
热门搜索

关闭

关闭