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面对电动汽车和数据中心两大主力应用市场，SiC和GaN该如何发力？

氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）是宽禁带（WBG）半导体材料，由于其独特性，使其在提高电子设备的效率和性能方面起着至关重要的作用，特别是在DC/DC转换器和DC/AC逆变器领域。

2024-12-04

电动汽车数据中心 SiC GaN

终于搞明白差模噪声与共模噪声

开关稳压器的EMI分为电磁辐射和传导辐射(CE)。本文重点讨论传导辐射，其可进一步分为两类：共模(CM)噪声和差模(DM)噪声。为什么要区分CM-DM？对CM噪声有效的EMI抑制技术不一定对DM噪声有效，反之亦然，因此，确定传导辐射的来源可以节省花在抑制噪声上的时间和成本。

2024-12-04

差模噪声与共模噪声

Spectrum仪器数字化仪应用：通过量子传感器控制假肢

通常，我们需要通过识别人体发出的信号来控制假肢。目前，通过植入电极的方式控制假肢是最为普遍的技术。

2024-12-04

Spectrum

面向嵌入式应用的生成式AI

近来，与AI相关的周期性热点几乎都围绕着大语言模型（LLM）和生成式AI模型，这样的趋势反映出这些话题近年来日益增强的影响力和普及程度。与大语言模型和生成式AI模型相关的应用涵盖了广泛的领域，从开放式聊天机器人到任务型助手。虽然LLM主要聚焦基于云和服务器端的应用，但人们对在嵌入式系统和...

2024-12-03

嵌入式应用 AI

汽车 GPU 算力新高度支持智驾芯片实现架构创新

随着汽车行业在“新四化”领域内迅猛地进步，汽车电子电气架构正在发生显著的变化。智能化的深入促使汽车计算架构逐步由传统的以分域来进行风险控制的分布式架构，转向以强调高性能计算同时减少冗余硬件和系统复杂性，从而提高系统效率和可靠性的中央计算架构。与此同时，一些新兴的功能在新车中的渗...

2024-12-03

汽车 GPU 算力智驾芯片

贸泽电子与Analog Devices和Bourns联手发布全新电子书

贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新电子书，探讨氮化镓 (GaN) 在效率、性能和可持续性方面的优势，以及发挥这些优势所面临的挑战。

2024-12-03

贸泽电子 Analog Devices Bourns 电子书

英飞凌AURIX TC3x新增支持FreeRTOS

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的AURIX™ TC3x微控制器（MCU）系列新增了对FreeRTOS的支持。

2024-12-03

英飞凌

借助支持边缘 AI 的 MCU 优化实时控制系统中的系统故障检测

本文中将讨论集成式微控制器 (MCU) 如何增强高压实时控制系统中的故障检测功能。此类 MCU 使用集成神经网络处理单元 (NPU) 运行卷积神经网络 (CNN) 模型，帮助在监测系统故障时降低延迟和功耗。通过将边缘 AI 功能集成到用于管理实时控制的同一 MCU 中，可以帮助您优化系统设计，同时增强整体性能。

2024-12-02

边缘 AI MCU 实时控制系统

第10讲：SiC的加工工艺（2）栅极绝缘层

SiC可以通过与Si类似的热氧化过程，在晶圆表面形成优质的SiO2绝缘膜。这在制造SiC器件方面具有非常大的优势。在平面栅SiC MOSFET中，这种热氧化形成的SiO2通常被用作栅极绝缘膜，并已实现产品化。然而，SiC的热氧化与Si的热氧化存在一些差异，在将热氧化工艺应用于SiC器件时必须考虑到这一点。

2024-12-02

SiC 栅极绝缘层

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