中心议题：

• 屏蔽性能的指标

解决方案：

• 表面转移阻抗
• 转移阻抗
• 耦合衰减
• 屏蔽系数
• 屏蔽耦合损耗

1.表面转移阻抗(SuRFaceTransferImpedance)
　　
按IEC61196-1测试同轴电缆的方法，测试带屏蔽的平衡电缆，短路8根芯线后用50Ω信号源激励。被测试线长1米，测试频率30MHz，频率越高，线长越短导体表面转移阻抗。主要用于评估连接硬件的屏蔽效率，其实测值不超过以下计算值。
　　ZTcable=37+4f+4f1/2+5f1/3
　　ZTcable：表面转移阻抗，单位mΩ/m
　　f：信号频率，单位MHz
　　
2.转移阻抗(TransferImpedance)
　　
转移阻抗与屏蔽电缆和连接硬件的屏蔽效率相关，其数值可通过实验室高频密封箱测量屏蔽插入损耗，计算得出。
　　


　　Ri1=Ri2=50Ω——网络分析仪特性阻抗
　　R1=50Ω——馈电电阻
　　R2=50Ω——终端电阻
　　U1=信号发射电压(V)
　　U2=信号接收电压(V)
　　Uc=被测设备两端电压
　　Zcond=连接器特性阻抗(Ω)
　　Zt=转移阻抗(Ω)
　　Zt=1/l电缆长度•Ri1/Ri2•(R2+Ri2)•U2/U1=100/l电缆长度•U2/U1
　　由于屏蔽插入损耗(αs)为20•lg(U2/U1)dB，转移阻抗(Zt)也可以表示为：
　　Zt=100•10α/20(Ω)
　　
3.耦合衰减(CouplingAttenuation)
　　
耦合衰减用于描述电缆系统的电磁兼容性能。耦合衰减Catt=Pr/Pi(Pr：线缆接收功率;Pi：在内导体上产生的噪声功率)
　　将电缆近似看作电磁场中的全向天线，其接收到的电磁功率Pr=λ2/4π•PD(λ：信号波长，PD：电磁场功率密度)
　　内部内部导体产生噪声功率Pi=内部导体产生噪声功率Vi2/Z(Vi：内导体上的噪声电压;Z内导体阻抗，50Ω)
　　

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4屏蔽系数(GB54419-1985)
　　
按下图装置，测试电缆金属护套及铠装层的理想屏蔽系数γ0s=VC/VS(线芯上的感应电压mV;电缆式样金属套上的纵向干扰电压mV)。
　　

5屏蔽耦合损耗(CouplingLoss)(GY/T186-2002)
　　
GTEM小室馈入功率与被测件耦合功率的分贝差。与10.9.3耦合衰减(CouplingAttenuation)意义相同。
　　


　　
6屏蔽效能(ShieldingEffectiveness)(GY/T186-2002)
　　


　　采用GTEM小室测量无屏蔽电缆与屏蔽电缆的屏蔽耦合损耗的分贝差。