导通

在负载电流过零时，门极用直流或单极脉冲触发，优先采用负的门极电流，理由如下。若运行在3+象限，由于双向可控硅的内部结构，门极离主载流区域较远，导致下列后果：

1.高IGT：需要高峰值IG。

2.由IG触发到负载电流开始流动，两者之间迟后时间较长：要求IG维持较长时间。

3.低得多的dIT/dt承受能力：若控制负载具有高dI/dt值（例如白炽灯的冷灯丝），门极可能发生强烈退化。

4.高IL值（1-工况亦如此）：对于很小的负载，若在电源半周起始点导通，可能需要较长时间的IG，才能让负载电流达到较高的IL。在标准的AC相位控制电路中，如灯具调光器和家用电器转速控制，门极和MT2的极性始终不变。这表明，工况总是在1+和3-象限，这里双向可控硅的切换参数相同。这导致对称的双向可控硅切换，门极此时最灵敏。

说明：以1+、1-、3-和3+标志四个触发象限，完全是为了简便，例如用1+取代“MT2+，G+”等等。这是从双向可控硅的V/I特性图导出的代号。正的MT2相应正电流进入MT2，相反也是（见图3）。实际上，工况只能存在1和3象限中。上标+和-分别表示门极输入或输出电流。

将上述内容进行精华总结，就是本文中想要向大家传达的，双向可控硅中导通的关键准则：设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，G+）。

本文针对双向可控硅应用中关于导通方面的内容进行精华总结，给出言简意赅总结内容的同时，还将规则的由来与原理进行了讲解，方便读者理解。在进行双向可控硅设计之前不妨花上几分钟来阅读本文，详细一定会有意想不到的收获。

相关阅读：

可控硅整流器必须要哪些保护措施，你知道吗？
深度剖析：双向可控硅基础之过零检测与波形
支高招：可控硅调光的噪声抑制方法