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TMBS® TrenchMOS：Vishay发布12个采用不同封装的45V 势垒肖特基整流器

Vishay发布12个采用不同封装的45V TMBS® TrenchMOS势垒肖特基整流器器件可用于光伏太阳能电池旁路保护，具有10A～40A的宽额定电流范围，在20A电流下的典型VF低至0.51V

2012-01-12

势垒肖特基整流器二极管

产能缺口将促铅酸电池行业景气度提升

总体而言，产能缺位造成的供求缺口将是铅酸行业面临的一个主要问题。而造成的产能不足部分，将由留存厂商以扩产、横向收购的方式逐步补充。铅酸行业集中度的提升，一方面消除了无序竞争的乱象，另一方面创造了较为公平的行业竞争环境。

2012-01-12

铅酸电池电池厂电网储能

LTC4366:Linear推出面向电子系统的过压保护控制器

力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出面向电子系统的过压保护控制器 LTC4366。该器件在 9V 至高于 500V 的电压范围内工作，其浮动浪涌抑制器采用可调浮动拓扑，能不受 LTC4366 内部电路电压额定值的影响，以非常高的电压工作。

2012-01-12

半导体电子芯片 MOSFET

利用变压器实现电子镇流器的局部整流效应保护功能

电子镇流器因局部整流效应所造成的超功率输出能量，有很大部分会使灯的阴极灯丝以及喇叭状玻璃烧坏，灯头温升上升使灯座软化变形，严重时甚至会发生灯的玻管壁因骤热而发生开裂。本文介绍利用变压器实现电子镇流器的局部整流效应保护功能设计。

2012-01-11

变压器电子镇流器整流效应

第一讲：常用过压、过流、过温保护器件之选型技巧

电路保护主要有三种形式：过压保护、过流保护和过温保护。选择适当的电路保护器件是实现高效、可靠的电路保护设计之关键的第一步，那么，如何合理选择电路保护器件？不同的保护器件其保护原理也各有不同，选择的时候应结合其保护原理、工作条件和使用环境来考虑。本文将介绍常用的几种过压、过流和...

2012-01-11

过压过流过温电路保护

我国光伏并网发电将走向规范化

近些年，我国对光伏发电越来越重视，国家也陆续出台了相关政策标准，以此来保证光伏并网发电产业有序健康的发展，我国光伏并网发电的标准将会越来越完善。

2012-01-11

光伏并网标准

ZXGD3104N8：Diodes MOSFET控制器有助提升PSU效率

Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管，并通过减少多达70%的整流器损耗，有效提升最高达3.5%的电源效率。因此，该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的...

2012-01-11

半导体控制器芯片 MOSFET

2012物联网等战略性新兴产业成电子信息产业新增长点

培育发展战略性新兴产业，已被工业和信息化部列为2012年的另一个工作重点。工业和信息化部部长苗圩强调，2012年要重点抓好八个方面的工作，其中积极培育发展战略性新兴产业和扎实推进信息化发展和维护网络信息安全，占据了我国电子信息产业在新一年度发展的重要位置。

2012-01-11

电子信息产业战略性新兴产业物联网

2011中国电信3G用户渗透率达27%

2011年已然成为过去，回望中国电信走过的2011年，前11个月，累计新增CDMA用户3287万，总数达到1.23亿户；其中，3G用户增长2106万户，占新增移动用户的64%，总数达到3335万户，3G渗透率达到27%，居三大运营商之首。天翼3G的快速发展、移动用户数的稳步增长为中国电信规模化发展奠定了稳固的基础。

2012-01-11

电信3G CDMA 智能手机华为C8650

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