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Vishay Siliconix功率MOSFET在4.5V时导通电阻仅为9.4 mΩ

日前，Vishay宣布推出新款8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻，4.5V时导通电阻仅为9.4 mΩ。

2012-06-29

TrenchFET 功率MOSFET N沟道器件

先进功率控制助力耳机放大器延长播放时间

奥地利微电子的AS3560和AS3561立体声耳机放大器使用动态功率控制技术，使移动电话和媒体播放器等便携设备的播放时间更长。新型30mW耳机放大器可根据输入信号幅度连续调整对应的供电电压，与传统A/B类放大器相比，功耗显著降低。

2012-06-29

功率控制耳机放大器

IHS：DRAM市场呈现改善迹象库存水平下降

据IHS iSuppli公司的DRAM市场简报，DRAM市场形势继续改善，一项关键指标显示库存水平相对于需求下降。

2012-06-29

DRAM市场 IHS

给三星供应气体林德扩大中国TFT-LCD市场版图

气体及解决方案供应商联华林德近日宣布，已与三星电子签订了长期气体供应合同，服务于三星电子最新的第8.5代TFT-LCD（薄膜晶体管液晶显示器件）生产厂。这些超高纯度气体用于制造薄膜晶体管，而这些晶体管则控制着组成可视图像的成千上万个像素。

2012-06-29

林德 TFT-LCD 三星

手机市场放缓不可怕拆机结果显示NOR闪存找到新的增长点

据最新的存储与移动市场简报，NOR闪存在手机和智能手机中的使用增长势头可能正在消退，但随着平板电脑、汽车和工业市场的成长，有利可图的嵌入应用正在弥补手机应用的颓势。平板电脑、汽车和工业应用，对于分散化的供应商基础来说是新的机会。

2012-06-29

NOR闪存手机市场闪存

EP亮相2012第八届北京国际LED展览会

展会信息：本届展会是由中国电子商会、全国高科技企业发展LED专委会、北京市经济和信息化委员会、中国OLED产业联盟联合主办的“2012北京国际OLED展览会”，共有223家全球电子企业参展，展会规模13,000平方米。参加此次展会主要有汉维通信、三星电子、等知名企业。同时此次展会“2012北京国际OLED展览...

2012-06-28

2012第八届北京国际LED展览会

EP亮相2012第八届北京国际LED展览会

2012-06-28

2012第八届北京国际LED展览会

EP亮相2012第八届北京国际LED展览会

2012-06-28

2012第八届北京国际LED展览会

SiA436DJ:Vishay新MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。

2012-06-28

Vishay MOSFET SiA436DJ

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