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移动通信卡：3G时代的角色变化
伴随改革开放的深入和经济的进一步转型，移动通信技术得到迅猛发展，手机普及率得到迅速提高。2004~2008年，移动电话用户数量每年都保持着17%以上的快速增长，截止到2008年底，移动电话用户数量已经达到6.41亿户，与2004年相比增长了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中国移动
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移动通信卡：3G时代的角色变化
伴随改革开放的深入和经济的进一步转型，移动通信技术得到迅猛发展，手机普及率得到迅速提高。2004~2008年，移动电话用户数量每年都保持着17%以上的快速增长，截止到2008年底，移动电话用户数量已经达到6.41亿户，与2004年相比增长了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中国移动
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移动通信卡：3G时代的角色变化
伴随改革开放的深入和经济的进一步转型，移动通信技术得到迅猛发展，手机普及率得到迅速提高。2004~2008年，移动电话用户数量每年都保持着17%以上的快速增长，截止到2008年底，移动电话用户数量已经达到6.41亿户，与2004年相比增长了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中国移动
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FDZ371PZ：飞兆半导体1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench®工艺 技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最低RDS(ON) 值(-4.5V下为75mΩ) ，能够最大限度地减小传导损耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消费电子 Fairchild 飞兆半导体
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FDZ371PZ：飞兆半导体1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench®工艺 技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最低RDS(ON) 值(-4.5V下为75mΩ) ，能够最大限度地减小传导损耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消费电子 Fairchild 飞兆半导体
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FDZ371PZ：飞兆半导体1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench®工艺 技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最低RDS(ON) 值(-4.5V下为75mΩ) ，能够最大限度地减小传导损耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消费电子 Fairchild 飞兆半导体
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CM6100：CMD 面向高速串行接口的低电容静电放电保护设备
California Micro Devices（简称"CMD"）今天宣布推出为 USB 2.0 高速接口和低压差分信号与新兴串行接口（如用在手机和其它移动设备中的移动产业处理器接口）提供双通道15 kV 保护的低电容静电放电 (ESD) 设备 PicoGuard CM6100。
2009-08-21
PicoGuard CM6100 ESD保护
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CM6100：CMD 面向高速串行接口的低电容静电放电保护设备
California Micro Devices（简称"CMD"）今天宣布推出为 USB 2.0 高速接口和低压差分信号与新兴串行接口（如用在手机和其它移动设备中的移动产业处理器接口）提供双通道15 kV 保护的低电容静电放电 (ESD) 设备 PicoGuard CM6100。
2009-08-21
PicoGuard CM6100 ESD保护
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CM6100：CMD 面向高速串行接口的低电容静电放电保护设备
California Micro Devices（简称"CMD"）今天宣布推出为 USB 2.0 高速接口和低压差分信号与新兴串行接口（如用在手机和其它移动设备中的移动产业处理器接口）提供双通道15 kV 保护的低电容静电放电 (ESD) 设备 PicoGuard CM6100。
2009-08-21
PicoGuard CM6100 ESD保护
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