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Si7137DP:Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)发布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技术的首款器件 --- Si7137DP,该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装,具备业内最低的导通电阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 导通电阻 开关
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Si7137DP:Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)发布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技术的首款器件 --- Si7137DP,该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装,具备业内最低的导通电阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 导通电阻 开关
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中国版WEEE出台:电器厂商成本上升5%
在欧盟《关于报废电子电器设备指令》(WEEE)全面实施近三年后,中国版WEEE出台。条例对制造商有很多保护措施,而金融危机的到来让该条例正式实施的时间推迟到2011年元旦。中国版的WEEE在多次征求意见和修改后对生产者采取了优惠的政策,但保留了“生产者负责制”。该法规有可能使电器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中国版WEEE WEEE 关于报废电子电器设备指令 废弃电器电子产品回收处理管理条例
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中国版WEEE出台:电器厂商成本上升5%
在欧盟《关于报废电子电器设备指令》(WEEE)全面实施近三年后,中国版WEEE出台。条例对制造商有很多保护措施,而金融危机的到来让该条例正式实施的时间推迟到2011年元旦。中国版的WEEE在多次征求意见和修改后对生产者采取了优惠的政策,但保留了“生产者负责制”。该法规有可能使电器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中国版WEEE WEEE 关于报废电子电器设备指令 废弃电器电子产品回收处理管理条例
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中国版WEEE出台:电器厂商成本上升5%
在欧盟《关于报废电子电器设备指令》(WEEE)全面实施近三年后,中国版WEEE出台。条例对制造商有很多保护措施,而金融危机的到来让该条例正式实施的时间推迟到2011年元旦。中国版的WEEE在多次征求意见和修改后对生产者采取了优惠的政策,但保留了“生产者负责制”。该法规有可能使电器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中国版WEEE WEEE 关于报废电子电器设备指令 废弃电器电子产品回收处理管理条例
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2009年全球智能手机将会获得强劲增长
In-Stat公司最新的研究报告指出,到2013年全球智能手机的市场份额将会占到整个手机市场的20%,同时今年全球智能手机将会获得强劲增长。
2009-03-12
智能手机 iPhone Magic
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CM1235/6:California Micro Devices两款最新ESD保护器件
California Micro Devices宣布 XtremeESD(R) 系列新添两款 ESD(静电放电)保护器件CM1235 和 CM1236。这两款器件都整合了获奖的 PicoGuard XS 架构,该架构拥有整合的阻抗匹配和更高的 ESD 性能。
2009-03-11
CM1235 CM1236 ESD保护器件
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CM1235/6:California Micro Devices两款最新ESD保护器件
California Micro Devices宣布 XtremeESD(R) 系列新添两款 ESD(静电放电)保护器件CM1235 和 CM1236。这两款器件都整合了获奖的 PicoGuard XS 架构,该架构拥有整合的阻抗匹配和更高的 ESD 性能。
2009-03-11
CM1235 CM1236 ESD保护器件
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京瓷(天津)太阳能有限公司即将建设新厂房
京瓷(天津)太阳能有限公司是京瓷株式会社位于中国天津市的太阳能电池组件生产基地。为了扩大该厂的生产能力,京瓷株式会社(社长:川村诚)即将为其建设新的厂房。
2009-03-11
京瓷 新厂房 产能 亚洲市场
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