【导读】三星电子传来关键突破信号。据韩国媒体TheElec报道，其第七代高带宽内存产品HBM4E已正式迈入基础芯片后端设计阶段，这一里程碑式进展标志着整体研发进程过半，量产时间表锁定2027年。作为HBM模块的“控制中枢”，基础芯片的设计进程直接决定产品性能上限，而三星此次不仅剑指3.25 TB/s总带宽、两倍于HBM3E的能效等硬核指标，更以4纳米工艺、双轨研发策略构建竞争壁垒，为全球AI基础设施的存储效率革命注入新动能，也让这场由三星、SK海力士、美光主导的技术竞赛进入更关键的攻坚期。
据悉，HBM4E的基础芯片目前已完成寄存器传输级（RTL）逻辑设计，正进行物理电路的布局与布线（即后端设计）。这一阶段通常占芯片设计总周期的60%至70%，完成后将进入流片（tape-out）准备，由代工厂启动试产。
作为HBM模块的“控制中枢”，基础芯片不仅负责管理数据读写速度，还承担对上方堆叠DRAM的错误校正（ECC），直接决定整颗HBM的性能、稳定性与能效。
根据此前的信息，三星为HBM4E设定了技术指标：总带宽目标高达3.25 TB/s，较当前主流的HBM3E提升约2.5倍；每针脚数据速率突破13 Gbps；同时维持2,048个I/O接口以确保兼容性。同时，其能效目标是HBM3E的两倍以上。这对功耗敏感的数据中心和AI训练集群至关重要。
为加速商业化进程，三星已向供应链发出明确信号：要求供应商在2026年3月前提交配套材料与设备供应计划。公司内部更制定了覆盖HBM4、HBM4E到HBM5（预计2029年推出）的完整路线图，并同步运营两个研发团队——一个专注标准品，另一个专攻定制方案，形成“双轨并行”策略。
TheElec称，三星计划在其自有的4纳米FinFET工艺节点上制造HBM4E的基础芯片，并由存储器接口专家林大贤（Daihyun Lim）领衔I/O设计。林大贤曾任职IBM与GlobalFoundries，2023年加入三星，其经验被视为攻克高速信号完整性难题的关键。
总结
三星HBM4E进入基础芯片后端设计阶段，既是其技术路线图的关键跨越，也印证了全球HBM产业向高带宽、优能效迭代的趋势。依托4纳米FinFET工艺、专家团队攻坚及全链条布局，三星全力抢占AI存储赛道。当前HBM市场短缺将持续至2028年，AI大模型需求激增背景下，HBM4E进展深刻影响全球AI服务器供应链格局。随着2026年供应链配套落地及流片试产推进，三星能否凭此产品重塑竞争格局、为2027年量产及HBM5研发铺路，备受行业关注，其技术突破也将助力AI基础设施向高效低耗升级。
