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电源管理

判别端子的晶体管测试仪

简单晶体管测试仪可以判断出晶体管的类型，并且能帮助检测出晶体管的发射极、集电极和基极。其方法是检查被测晶体管三个端子T1、T2和T3之间流过的各种可能电流方向的组合。

2011-10-24

计数器晶体管测试仪解码器

2011年压电晶体材料市场走势分析及市场价格预测

据中国市场调研在线了解，压电晶体材料有一类十分有趣的晶体材料，当你对它挤压或拉伸时，它的两端就会产生不同的电荷。这种效应被称为压电效应。能产生压电效应的晶体就叫压电晶体。

2011-10-24

压电晶体晶体管材料行业

NEC开发出寿命大幅延长的锰类锂离子充电电池

NEC宣布开发出了将锰类锂离子充电电池的寿命提高至以往两倍以上的技术。此次开发的技术是在电解液中添加有机硫化合物，并与以往的锰类正极、碳负极的电极相组合。

2011-10-24

NEC 锂离子充电电池

第三讲：非接触式预付费智能表系统设计方案

本文旨在通过对非接触式预付费智能表解决方案的介绍，使大家对非接触式预付费智能表系统有一个整体的认识。主要介绍非接触式预付费智能表系统工作过程，以及智能卡安全性问题和使用非接触式预付费智能表系统时需要考虑的关键问题等。

2011-10-24

非接触式预付费智能表系统

电磁感应的传导干扰和辐射干扰

在开关电源里面，开关电源变压器是最大的磁感应器件。开关电源变压器在电磁转换过程中，工作效率不可能100%，因此，也会有一部分能量损失，其中的一部分能量损失就是因为产生漏磁，或漏磁通。这些漏磁通穿过其它电路的时候，也会产生感应电动势。本文介绍电磁感应产生的传导干扰和辐射干扰。

2011-10-21

开关电源电磁感应传导干扰辐射干扰

Si8802DB|Si8805EDB：Vishay推出业内最小N沟道和P沟道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的MICRO FOOT®封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而导通电阻则与之相当甚...

2011-10-21

Si8802DB Si8805EDB Vishay MOSFET TrenchFET

未来电动汽车数量增加将造成电网高负荷

据外媒报道，全球智能电网模式近年来一直引发了热议，很多专家得出结论，现在的电动汽车的规模已经具备足够能力实现电力储存和传输。然而目前这一领域仍然面临着一个巨大的挑战变压器。

2011-10-21

电动汽车电网插电智能电网

TI推出超过300款电源管理参考设计的PowerLab

日前，德州仪器 (TI) 宣布推出PowerLab参考设计库，汇集了业界经过测试的、最广泛的电源管理参考设计。该 PowerLab 参考设计库内含300多款电源管理参考设计，满足各种应用及电源转换拓扑的需求，如照明、电信、计算以及消费类电子等的隔离及非隔离式设计方案。

2011-10-21

电源管理印制电路板功率转换数字电源

高频变压器的设计基础

高频链逆变技术用高频变压器代替传统逆变器中笨重的工频变压器，大大减小了逆变器的体积和重量。在高频链的硬件电路设计中，高频变压器是重要的一环。

2011-10-21

高频变压器单片开关电源

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