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Si8802DB|Si8805EDB：Vishay推出业内最小N沟道和P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的MICRO FOOT®封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而导通电阻则与之相当甚...
2011-10-21
Si8802DB Si8805EDB Vishay MOSFET TrenchFET
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未来电动汽车数量增加将造成电网高负荷
据外媒报道，全球智能电网模式近年来一直引发了热议，很多专家得出结论，现在的电动汽车的规模已经具备足够能力实现电力储存和传输。然而目前这一领域仍然面临着一个巨大的挑战变压器。
2011-10-21
电动汽车 电网 插电 智能电网
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TI推出超过300款电源管理参考设计的PowerLab
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出PowerLab参考设计库，汇集了业界经过测试的、最广泛的电源管理参考设计。该 PowerLab 参考设计库内含300多款电源管理参考设计，满足各种应用及电源转换拓扑的需求，如照明、电信、计算以及消费类电子等的隔离及非隔离式设计方案。
2011-10-21
电源管理 印制电路板 功率转换 数字电源
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高频变压器的设计基础
高频链逆变技术用高频变压器代替传统逆变器中笨重的工频变压器，大大减小了逆变器的体积和重量。在高频链的硬件电路设计中，高频变压器是重要的一环。
2011-10-21
高频 变压器 单片 开关电源
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基于超级电容-铅酸蓄电池混合储能的太阳能充电器
文中设计了基于超级电容-铅酸蓄电池混合储能的太阳能充电器， 采用UC3909 智能管理芯片实现对铅酸蓄电池具有温度补偿功能的的四阶段充电管理； 并利用超级电容器组及升降压转换电路实现弱光充电功能， 优化铅酸蓄电池充放电过程， 提高系统效率及稳定性。
2011-10-20
铅酸蓄电池 太阳能 超级电容 充电器
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开关电源中功率晶体管的二次击穿及防护
本文分析了晶体管二次击穿的现象和产生原因， 并结合开关电源的设计及生产实际， 介绍了缓冲回路的应用及其它有关晶体管防护措施。
2011-10-20
开关电源 晶体管 二次击穿 功率晶体管
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天津推出新型动力电源 充电10分钟，可行200公里
天津市将致力于推动“高能镍碳超级电容器”产业化基地建设：一期投资10亿元，建成1000万只30亿安时产能，预计产值200亿元；二期建成1亿只300亿安时产能。
2011-10-20
电源 汽车电子 静态电流 稳压器
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第二讲：详解智能电表的主流计量芯片方案
在智能电网的诸多应用中，智能电表应用已率先落地。根据国家电网公司电网智能化建设规划，在国家电网公司“计量、抄表和收费标准化建设研究”项目成果的基础上，全国的大多数电表企业均设计研发了符合新一代智能电网要求的电度表。
2011-10-19
智能电表 BL6523A 计量芯片 MCU
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峰值电流控制的非隔离负电压DC/DC开关电源设计
针对现有非隔离负电压DC/DC开关电源在带负载能力以及输出纹波上的不足，本文提出了一种基于峰值电流控制的新型非隔离负电压DC/DC开关电源设计方案，使现在连续电流模式（CCM）下输出电容能始终通过输出电感得到充电。进而有效抑制输出纹波的影响，确保了负电源的高效率工作和带负载能力。
2011-10-19
开关电源 DC/DC 峰值电流
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