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电源管理

晶川电子荣获英飞凌2008年度KPI大奖

2008年11月18～20日，英飞凌（Infineon:原西门子半导体集团公开上市公司）在北京希尔顿逸林饭店举行了亚太地区代理商大会。参会代表来自英飞凌德国总部，亚太地区总部（新加坡），以及亚太地区的代理商近两百人。

2008-11-27

功率半导体器件 IGBT模块晶闸管电力二极管

FDMA1027/2P853：飞兆半导体最薄MicroFET MOSFET

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。

2008-11-26

FDMA1027 FDFMA2P853 MicroFET MOSFET

欧盟研发出光效为39．7％的太阳能电池

2008年11月24日消息，来自欧盟委员会资助的项目Fullspectrum的科学家研发出了光伏转换效率达39.7%的太阳能电池。据说，这是欧盟目前所能达到的最高光效。

2008-11-26

光伏晶硅光伏电池太阳能电池光能

DS4560：Maxim具有自我保护及重启功能的热插拔开关

Maxim推出具有自我保护及重启功能的完全集成热插拔开关DS4560。器件极大地减少了12V供电背板系统中保证安全插入和拔出操作所需的元件数量。为减小方案尺寸、简化设计，DS4560集成了25mΩ n沟道功率MOSFET，从而省去了外部MOSFET。DS4560专为12V系统而设计，是企业级硬盘驱动器、服务器/路由器、PCI E...

2008-11-25

DS4560 热插拔开关 PCIe InfiniBand MOSFET

高性能IGBT提高太阳能逆变器效率

飞兆半导体的截止沟道式IGBT适用于不间断电源、太阳能逆变器以及微波炉和感应加热类的应用，可以帮助设计师减少传导损耗和开关损耗，实现极高的效率。

2008-11-25

太阳能逆变器 IGBT

特许半导体CEO：目前谈合并太“冒失”

日前到访我国台湾省的新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor Manufacturing）首席执行官Song-Hwee Chia否认了此行是为了接洽与其他半导体厂商进行合并事宜。Song-Hwee Chia表示对所谓的“合并大计”并不知情，不过他也没有完全排除未来的形势有往这个方向发展的可能。

2008-11-25

Song-Hwee Chia 半导体合并

IC S-5711A系列：日本精工最新磁性开关

日本精工电子有限公司(SII)日前推出磁性开关ICS-5711A系列。S-5711A系列是彩用CMOS技术开发的高灵敏度、低消耗电流的霍尔IC(磁性开关IC)。可检测出磁束密度的强度，使输出电压发生变化。通过与磁石的组合，可进行各种设备的开/关检测。

2008-11-25

S-5711A系列磁性开关

欧姆龙（广州）汽车电子有限公司二期工厂破土动工

10月初，欧姆龙（广州）汽车电子有限公司的二期工厂破土动工，预计于2009年9月竣工。二期工厂占地面积为20，000平米。该工厂的建成，对于欧姆龙（广州）汽车电子有限公司事业的发展有着至关重要的意义。二期工厂将进行新产品EPS（Electric Power Steering)的生产。

2008-11-24

EPS 汽车电子

中科三环：受益风电高增长

中科三环作为国内钕铁硼产业的龙头老大,有能力生产直驱永磁风电电机，当前已经获得了金风科技等风电厂家的产品技术认证，受益风电产业高增长。

2008-11-24

电机风电磁性材料

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