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电子供电中的有源功率因数校正
在配电系统中电子负载的激增,已导致了低效极不安全因素。这是由于在电子电源转换设备中典型的不良功率因素而引起的。波形失真、变压器过热以及三相系统的中性导体就是其中几例。本文介绍了解决电子供电中不良功率因素的最有效办法。
2009-02-18
电源 不良功率因数 Vicor 功率因数校正
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146 RTI:Vishay新系列高性能径向铝电容器
日前,Vishay宣布推出新系列径向铝电容器146 RTI,这些器件具有极低的阻抗值、高电容及高纹波电流,并可实现高达 +125°C 的高温运行,适合面向工业、汽车、电信和军事系统的开关电源 (SMPS) 及直流到直流电源中的平滑、滤波、缓冲及电压退耦应用。
2009-02-18
146 RTI 径向铝电容器 开关电源
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NP110NXXPUJ:NEC低电压PowerMOSFET系列
近日,NEC电子(欧洲)推出两款新品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ,以扩展其低电压PowerMOSFET系列产品。新产品采用NEC电子的SuperJunction技术,具有杰出的优值系数(FOM),可最小化开关损耗并提高系统效率。
2009-02-18
NP110N04PUJ NP110N055PUJ SuperJunction PowerMOSFET
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中国2008年生产电脑1.47亿台
工业和信息化部运行监测协调局2日公布的数据显示,2008年我国生产电脑1.47亿台,同比增长14%,占全球2008年3.022亿台电脑销量的一半。
2009-02-18
电脑 工信部 2008年PC
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德州仪器收购电源管理初创公司Ciclon
德州仪器(Texas Instruments Inc. )为了扩大其模拟电源管理生产线,近日以未披露的价格收购了Ciclon半导体器件公司(Ciclon Semiconductor Device Corp.)。
2009-02-16
德州仪器 电源管理 一站式 cntsnew
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采用安森美半导体解决方案满足“能源之星”最新外部电源规范要求
本文介绍了如何采用安森美半导体解决方案满足“能源之星”最新外部电源规范要求。
2009-02-13
能源之星 安森美 电源适配器 PFC NCP1237/38/87/88 NCP1379/80 NCP1901
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E102Z:VISHAY新型超高精度Z箔电阻
Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) 近日推出新型超高精度 Bulk Metal Z 箔电阻 --- E102Z。该款电阻可在 55°C 到 +125°C 的温度范围内提供达军品级标准的绝对 TCR 值 (±0.2 ppm/°C),容差为 ±0.005% (50 ppm),在 +70ºC 下工作 2000 小时的负载寿命稳定性达到 ±0.005% (50 ppm)。E102Z 符...
2009-02-13
E102Z TCR VISHAY Z 箔电阻 军事 航空 医疗
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太阳能LED街灯的挑战及安森美半导体高能效解决方案
LED在太阳能街灯的使用中越来越广泛,本文介绍了采用最大峰值功率追踪技术提升太阳能板能效 的方法,介绍了应对LED性能提升的驱动电路设计策略及解决方案,介绍了安森美半导体应用于这些方法、策略和解决方案中的相关器件。
2009-02-12
太阳能 LED街灯 MPPT CS51221 NCP3066 安森美
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满足可再生能源和传统电机驱动应用 英飞凌扩产功率模块
近日,英飞凌科技股份公司宣布,该公司正在扩建其位于匈牙利Cegléd的功率模块生产工厂,以满足日益增长的对于可再生能源和传统电机驱动系统的需求。2012年英飞凌计划使Cegléd工厂的IGBT模块达到年产近600万块。
2009-02-12
功率模块 IGBT 电机驱动 可再生能源
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