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电源管理

STV250N55F3：意法半导体新250A功率MOSFET

意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管，新产品拥有市场上最低的导通电阻，可以把功率转换损耗降至最低，并提高系统性能。

2008-07-16

MOSFET STV250N55F3

30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二极管

Vishay宣布推出最大结温高达 +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二极管。30CTT045 与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术，可提供超低的正向压降以及低反向漏电流，从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。

2008-07-11

30CTT045 60CPT045 肖特基二极管 diode

150 CRZ系列：Vishay新高性能SMD 铝电解电容器

Vishay宣布已扩展其150 CRZ系列表面贴装铝电容器的功能，使该系列器件能够提供低阻抗值、高电容与纹波电流，以及可实现高振动功能的 4 针脚版本。

2008-07-09

150 CRZ SMD 铝电解电容器

CSM2512S：Vishay新型表面贴装Power Metal Strip电阻

Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面贴装Power Metal Strip电阻，该电阻可在额定功率及+70ºC的条件下保持长达2,000小时的±0.05%负载寿命稳定性，在–55ºC至+125ºC及25ºC参考温度条件下实现±15 PPM/ºC的绝对TCR ，以及具有 ±0.1%的容差。

2008-06-27

CSM2512S Bulk Metal Power Metal Strip电阻

STCL1120系列:意法半导体低功耗硅振荡器

意法半导体推出STCL1120系列硅振荡器，新产品启动快速，抗振动、冲击和抗电磁干扰（EMI）能力强，电流消耗低，片选控制功能使电源管理比其它品牌的硅振荡器更加容易，能效更高。

2008-06-24

STCL1120 硅振荡器控制设备

B84143D*R127系列：EPCOS长引出线应用EMC滤波器

爱普科斯阔展了它的3路EMC滤波器系列, 增加了变频器用高性能系列产品。其出色的衰减性能尤其对长电动机引出线有决定性的优势。

2008-06-19

B84143D*R127 SineFormer滤波器 EMC滤波器

Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有很小占位面积以及 1.2 V 时超低的导通电阻。

2008-06-18

Si8445DB 功率MOSFET

B82466G0/B82467G0/B82469G1*：EPCOS新电感器系列

爱普科斯(EPCOS)开发出紧凑的小型电感器，其高度仅为1.0毫米，占用面积仅2.0×2.0平方毫米。B82466G0*系列的电感范围介于0.5至22μH，饱和电流最高为1.6A。B82467G0*和B82469G1*系列尺寸分别为2.6×2.8×1.0立方毫米和3.8×3.6×1.2立方毫米，其饱和电流最高为3.0A。

2008-06-01

B82466G0* B82467G0* B82469G1* 电感器

SiA***DJ：Vishay新型小型封装Siliconix功率MOSFET

Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封装、厚度为 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。

2008-05-28

SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET

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