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大功率全方位反射镜发光二极管性能研究
目前大功率LED光提取效率比较低的一个重要原因是LED 衬底的厚度比较大,很大一部分有源区发射的光入射到衬底层被衬底和电极等材料吸收,从而大大降低光的提取效率,进而影响出光,为了改善这一缺陷,近几年利用全方位反射镜 ( omnidirectional reflector,ODR) 将有源区发出的射向衬底的光反射出去...
2011-08-19
反射镜 发光二极管 大功率LED 串联电阻
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基于软开关的电子辐照高压电源设计
在食品加工过程中采用电子辐照技术,可以提高食品的安全性。加速管作为离子束加速器件,在电子辐照工程装置中是关键设备。为了满足不同辐照物体的辐照计量要求,需要电子枪高压电源可以连续可调。本文介绍一种实用化的具有良好特性的电子枪直流高压电源的设计。
2011-08-19
高压电源 软开关 电子辐照 电子枪
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晶体管也玩立体化 Intel Ivy Bridge前景乐观
今年年初,Intel正式发布了SandyBridge架构,从笔记本、台式机到服务器都一应俱全,几个月内SnB大潮就已经席卷了整个市场。如今在桌面平台方面,已经更新到第二代Z68等芯片组了,推陈出新速度非常之快。
2011-08-18
Intel 晶体管 笔记本 台式机
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高性能三元材料动力锂电池即将国产
近日,由上海卡耐新能源有限公司生产的高性能三元材料动力锂电池在北京亮相。据悉,该锂电池是引进日本技术生产的,将于今年年底投放国内市场。
2011-08-18
卡耐新能源 锂电池 新能源 动力电池
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薄膜电池具成本优势 或抢占更多装机份额
市场期待已久的光伏电价终于出台,国家发改委8月1日下发通知,对非招标太阳能光伏发电项目实行全国统一的标杆上网电价。但事实上,目前国内光伏发电成本仍在1元以上,只有少数薄膜电池企业能承受1元/千瓦时以下的上网电价。有分析认为,因为价格上的优势,所以可能对投资规模和成本较低的薄膜电池更...
2011-08-18
光伏电 太阳能 电价 晶体硅电池
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SiB437EDKT:Vishay推出微型低导通电阻功率MOSFET用于便携设备
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
2011-08-18
SiB437EDKT Vishay 功率MOSFET
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开关电源测试方案
开关电源因其效率高,体积小而被电子企业广泛应用,以下是自己在工作中总结出来的测试方法和测试项目,在电源设计时若能充分考虑到这些方面,那么其产品将会被越来越多的客户所使用。
2011-08-18
开关 电源测试 电压 额定负载
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电源设计中的电容应用实例
这里,只介绍一下电路板电源设计中的电容使用情况。这往往又是电源设计中最容易被忽略的地方。很多人搞ARM,搞DSP,搞FPGA,乍一看似乎搞的很高深,但未必有能力为自己的系统提供一套廉价可靠的电源方案。这也是我们国产电子产品功能丰富而性能差的一个主要原因,根源是研发风气吧,大多研发工程师...
2011-08-17
电容应用实例 电容应用 电源设计
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PBSM5240PF:恩智浦推出超紧凑型中等功率晶体管用于便携设备
恩智浦半导体NXP日前宣布推出采用DFN2020-6 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020-6无铅塑料封装占位面积仅有2 x 2 mm,高度仅为0.65 mm,专门针对诸如移动设备等高性能消费产品的小型化发展趋势而设计。
2011-08-17
PBSM5240PF 恩智浦半导体 NXP 晶体管
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