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IGBT驱动电路M57962L的剖析
IGBT是一种新型功率器件,即绝缘栅极双极集体管(Isolated GateBipolar Transistor),是上世纪末出现的一种复合全控型电压驱动式电力电子器件。它将GTR和MOSFET的优点集于一身:输入阻抗高,开关频率高,工作电流大等,在变频器、开关电源,弧焊电源等领域得到广泛地应用。M57962L采用+15V、- 10V双电源供电,由于采用- 10V关断电压,能更可靠关断,同时具有封闭性软关断功能,从而使IGBT更加安全的工作。
2008-10-11
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提高DC/DC转换器EMC性能的新策略
为了提高DC/DC转换器的电磁兼容性,基于混沌现象的宽频谱特性提出了一种新的DC/DC转换器控制策略。首先推导了能够产生可控幅度混沌序列的Logistic映射形式,然后利用混沌序列对电流滞环控制策略的电流参考值进行扰动。从而扩展了电感电流的功率谱,降低了在开关频率及其谐波频率上发射的电磁干扰。仿真研究证明,该控制策略可以改善的DC/DC转换器电磁兼容性能。
2008-10-09
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降低开关电源电磁干扰水平的研究
本文以一个能产生混沌、超混沌、亚超混沌与超混沌信号的电路为信号源,以Boost型DC/DC变换器为对象,研究混沌的性质对降低开关电源电磁干扰水平效果的影响。仿真结果表明:不同性质的混沌序列,有不同的降低Boost型变换器的电磁干扰水平的效果。
2008-10-05
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AIS326DQ:ST针对汽车系统和工业应用MEMS加速度传感器
意法半导体推出旗下首款的汽车质量级三轴MEMS加速度传感器。新产品AIS326DQ符合AEC-Q100汽车产品质量标准。意法半导体充分发挥成功的MEMS八寸晶圆厂制造能力,以具有竞争力的价格为系统集成商提供MEMS前沿技术。
2008-10-01
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CCD数字相机的电源系统设计
为实现多路DC/DC转换功能,提出一种开关型稳压电源与线性稳压电源相结合的系统设计方案。分析了具有BOOST/BUCK功能的开关电源和线性稳压电源的工作特性,并结合CCD相机的整体设计要求,实现了相机电源的功耗低、发热量小、EMI干扰轻的设计目标。
2008-09-29
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SuperMESH3系列: ST照明和开关电源应用功率MOSFET
意法半导体(ST)进一步提高照明镇流器功率MOSFET晶体管的耐受能力、开关性能和能效,功率MOSFET被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。SuperMESH3的创新技术,配合优异的dv/dt性能及更高的击穿电压裕度,将大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
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LY530AL:ST超小型GPS应用MEMS陀螺仪
通过提供可选的模拟或数字角速率绝对值输出,意法半导体推出LY530AL MEMS陀螺仪,提高设计灵活性,简化集成难度,并节省外部元器件。全程量可测角速率高达每秒+/-300度,在直观人机界面或增强型汽车导航GPS等应用中,意法半导体的全新陀螺仪可测量快速角位移。
2008-09-12
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EG-2102CA/EG-2121CA HCSL:Epson Toyocom SAW振荡器
Epson Toyocom公司开发研制出适用于PCI Express 、FB-DIMM (Fully Buffered DIMM) 、HCSL(高速电流驱动逻辑、High-speed Current Steering Logic) 输出的低抖动 、低相位噪音 的表面声波(SAW)振荡器:EG-2102CA HCSL与EG-2121CA HCSL。
2008-09-02
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ASMT-MY09:安华高照明应用1W暖白光高功率LED产品
Avago 宣布推出一款新1W暖白光Moonstone高功率LED产品,适合各种建筑、商业、聚光灯、工作灯、背光以及装饰照明等应用。Avago的ASMT-MY09 LED采用薄型化设计,可以以350 mA的驱动电流提供高达95流明(lm)的高光度输出。
2008-08-07
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EPCOS开发出插入损耗低及抗干扰能力强的LAN模块
为实现电气隔离以及抑制共模干扰和差模干扰,爱普科斯(EPCOS)开发出磁性模块,专门用于LAN(局域网)。该模块有单、双和四端口的型号可供选择,符合IPC/JEDEC、J-STD-020C 和 IEEE 802.3标准的要求,其电气隔离功能可抵御1500 V AC的电压而不被击穿。
2008-08-01
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MAX4800A/MAX4802A:Maxim 8通道超声应用高速开关
Maxim推出通过高速、20MHz串行接口控制的8通道、高压、低电荷注入SPST开关MAX4800A/MAX4802A。器件采用Maxim专有的BCDMOS工艺,集高压、双向DMOS开关及低功耗CMOS逻辑特性于一体,从而实现通过低压控制信号对高压模拟信号的有效控制。
2008-07-30
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STV250N55F3:意法半导体新250A功率MOSFET
意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管,新产品拥有市场上最低的导通电阻,可以把功率转换损耗降至最低,并提高系统性能。
2008-07-16
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