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Distribution推出符合UL60950-1认证的变压器SM501-1
SM501-1表面贴装电信变压器符合UL60950-1安全标准，提供达4,600Vrms的绝缘测试。该变压器采用12.5 x 9.6-mm矩形封装……
2010-02-08
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Vishay Siliconix 发布4款600V MOSFET SiHx22N60S
Vishay 推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
2010-02-04
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Avago推出紧凑型防水高亮度表面贴装三色LED
Avago Technologies(安华高科技)宣布领先业内开发出第一款紧凑型高亮度防水三色表面贴装发光二极管(LED, Light Emitting Diode)产品，适合室内和户外全彩标志和显示看板应用。
2010-02-03
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SIMPLE SWITCHER：美国国家半导体推出全新电源模块
美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)宣布推出全新SIMPLE SWITCHER 电源|稳压器模块系列的前三款产品。该系列全新的高集成度电源模产品以LMZ为代号，其优点是易于使用，能够节省工程师的设计时间，从而加快产品上市进程。由于此系列电源模块内置高效率的同步开关稳压器及简易线性稳压器，因此无需像开关稳压器那样需要额外加设外置电感器，系统的线路布局更加简单。美国国家半导体将在二零一零年内陆续推出 SIMPLE SWITCHER 电源模块系列其他型号的产品。
2010-02-02
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OptiMOS系列：英飞凌推出200V和250V器件
英飞凌近日推出200V和250V OptiMOS系列器件。相对于其他同类产品，很低的优质化系数（FOM）使OptiMOS 200V和250V系列器件的通态电阻RDS(on)降低了50％，该公司并未透露FOM的具体数值。该系列器件适用于48V系统、DC/DC变换器、UPS和直流电机驱动。
2010-02-02
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iCharge DX：日本厂商推出便携式太阳能充电器
由日本周边厂商Linksinternational推出一款便携式太阳能充电器“iCharge DX”，这款多功能充电器适用于各种主机，用途包括DS Lite/DSi/DSi LL/PSP、iPhone/iPod touch、各种便携式电子设备。
2010-02-01
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英飞凌推出新一代多模HSPA+射频收发器SMARTiTM UE2
英飞凌无线解决方案部副总裁兼智能手机与射频业务分部总经理Stefan Wolff指出：“SMARTi UE2显著改善了所有关键性能指标：成本、尺寸、功耗和射频性能。我们成熟、领先的射频技术，可确保客户开发出外形极其灵活、电池寿命更长的全新智能手机和移动互联网设备。”
2010-01-29
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AUIRF7739L2/7665S2: IR 推出适用于汽车的DirectFET 2功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出适用于汽车的AUIRF7739L2 和AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。
2010-01-29
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LED与OLED未来潜力巨大成本下降仍需时间
根据市场研究机构SBI(SpecialistsinBusinessInformation)预估，全球LED与OLED现今市场规模已经超过50亿美元，而美国就占据了10亿美元市场值。这比起2007年足足成长50%以上。SBI进一步预估，2013年全球LED与OLED市场规模将可达140亿美元，而美国可达30亿美元之市场规模。
2010-01-29
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OptiMOSTM系列：英飞凌推出性能领先业界的200V和250V 器件
英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统、DC/DC变换器、不间断电源（UPS）和直流电机驱动。凭借同类器件中最低的优质化系数（FOM），OptiMOS 200V和250V技术可使系统设计的导通损耗降低一半。
2010-01-27
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
2010-01-27
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采用PowerFill外延硅工艺的电源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。 PoweRFill是一个精湛的工艺技术，因为它是同类流程速度的3倍，降低制造成本，创造了为电源设备设计在设计程度上新的级别。
2010-01-27
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