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11万+人次！5000+海外买家！2025 AGIC+IOTE深圳物联网展圆满收官，2026再聚
8月29日晚，深圳会展中心（宝安新馆）的灯牌逐渐熄灭，为期三天的2025 AGIC+IOTE第24届国际物联网展•深圳站正式落下帷幕。场馆内还残留着展商收拾展位的忙碌身影，而门口的电子屏上，“112,368人次入场”“5,178名海外买家”的数字依然闪烁——这些数据，不仅是这场AIoT盛宴的“流量注脚”，更印证了全球对“人工智能+物联网”技术的迫切需求。 在AIoT深度融入工业、消费、城市等全场景，全球数字化转型进入“落地攻坚期”的背景下，中国凭借“产业规模（全球物联网市场份额占比超35%）、场景创新（如智慧工厂、智能座舱等）、生态构建（从芯片到终端的全链条配套）”的综合优势，已成为全球物联网发展的“核心引领者”。此次展会，正是这一优势的集中体现：从海外买家对中国智能硬件的“抢购式咨询”，到展商展示的“AI算法+IoT终端”融合方案，每一个细节都在诉说着“万物互联”的未来，已从“概念”走进“现实”。
2025-09-01
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SiC赋能工业充电器：拓扑结构优化与元器件选型实战指南
随着工业新能源体系（如电动叉车、分布式储能、重型工程机械）的快速扩张，电池充电器的高功率密度、高转换效率、高可靠性已成为刚性需求。传统IGBT器件因开关速度慢、反向恢复损耗大，难以满足“小体积、大输出”的设计目标——而碳化硅（SiC）功率器件的出现，彻底改变了这一局面。 SiC器件的核心优势在于极致的开关性能：其开关速度可达IGBT的5-10倍，反向恢复损耗几乎为零，同时能在175℃以上的高温环境下稳定工作。这些特性不仅能将充电器的功率密度提升40%以上（相同功率下体积缩小1/3），更关键的是，它突破了IGBT对功率因数校正（PFC）拓扑的限制——比如图腾柱PFC、交错并联PFC等新型架构，原本因IGBT的损耗问题无法落地，如今借助SiC得以实现，使充电器的整体效率从92%提升至96%以上。 本文将聚焦工业充电器的拓扑结构优化，结合SiC器件的特性，拆解“如何通过拓扑选型匹配SiC优势”“元器件（如电容、电感）如何与拓扑协同”等核心问题，为工程师提供可落地的设计指南。
2025-08-29
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意法半导体2025半年报亮相：IFRS标准下的全球半导体龙头中期答卷
2025年8月21日，全球领先的半导体解决方案供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）通过公司官网正式披露了截至2025年6月28日的IFRS标准中期财务报告（涵盖六个月经营周期），并同步向荷兰金融市场管理局（AFM）完成 regulatory filing（监管报备）。作为服务于消费电子、工业控制、汽车电子等多领域的半导体巨头，此次财报不仅是其2025年上半年经营状况的“数字快照”，更成为行业观察全球半导体市场复苏趋势的重要参考。
2025-08-21
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KiCad胶水层揭秘：SMT红胶工艺的“隐形固定师”
在KiCad这款开源PCB设计软件的图层列表中，有两层常常被新手当作“无关紧要的标记层”——F.Adhesive（正面胶水层）和B.Adhesive（背面胶水层）。但对SMT（表面贴装技术）生产线上的工程师来说，这两层却是“隐形的固定师”：它们标注的位置，直接决定了红胶如何点涂，进而确保SMD（表面贴装器件）元件在高温焊接时不会移位、脱落。从KiCad的设计端到工厂的生产端，这两层看似简单的“胶水层”，其实串联起了SMT红胶工艺的核心逻辑。
2025-08-20
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氮化镓电源IC U8726AHE：用Boost技术破解宽电压供电难题
在手机快速充电器、笔记本适配器、移动电源等消费电子设备中，电源的“稳定性”与“效率”直接决定了用户体验——比如，一款能支持5V/2A、9V/2A、12V/1.5A等多规格输出的快速充电器，需要电源IC在宽电压范围内保持稳定供电，同时不能因为额外电路增加体积或成本。然而，传统电源方案在应对这一需求时，往往陷入“两难”：要么依赖辅助绕组（增加变压器体积），要么外接稳压电路（提高功耗），导致产品竞争力下降。针对这一痛点，一款集成高压E-GaN（增强型氮化镓） 与Boost供电技术的电源IC——U8726AHE应运而生，它像一把“钥匙”，打开了消费电子电源“宽电压、高效率、小体积”的新局面。
2025-08-20
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Nordic nRF5 SDK与Softdevice深度解析：开发BLE应用的底层逻辑与避坑指南
在BLE（蓝牙低功耗）应用开发领域，Nordic的nRF5系列芯片（如nRF51、nRF52）因其低功耗、高集成度的特性，成为开发者的首选。而支撑这些芯片运行的“底层基石”，正是nRF5 SDK（软件开发工具包）与Softdevice（蓝牙协议栈）。然而，很多开发者对两者的关系、版本选择及目录结构存在困惑——比如，SDK是“工具”还是“协议栈”？Softdevice为什么不能随便升级？本文将从开发逻辑出发，深度解析这两个工具的核心作用、使用误区及最佳实践，帮你搭建清晰的BLE开发底层认知。
2025-08-20
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工业充电器能效革命：碳化硅技术选型与拓扑优化实战
随着800V高压平台在电动汽车与工业储能领域加速渗透，传统硅基功率器件正面临开关损耗与散热设计的双重瓶颈。以碳化硅（SiC）MOSFET为代表的新型半导体，凭借10倍于IGBT的开关频率和85%的能效提升率，正推动工业充电器架构向高频化、集成化跃迁。本文深度解析SiC技术赋能的拓扑结构选型策略，揭晓如何在LLC谐振、图腾柱PFC等创新方案中精准匹配功率器件参数，实现系统成本与性能的黄金平衡点。
2025-08-19
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工业充电器PFC拓扑进化论：SiC如何重塑高效电源设计？
在工业4.0时代，从便携式电动工具到重型AGV（自动导引车），电池供电设备正加速渗透制造业、仓储物流和建筑领域。然而，工业级充电器的设计挑战重重：既要承受严苛环境（如高温、震动、粉尘），又需在120V~480V宽输入电压下保持高效稳定，同时满足轻量化、无风扇散热的需求。碳化硅（SiC）功率器件的崛起，正为这一难题提供破局关键——其超快开关速度和低损耗特性，不仅提升了功率密度，更解锁了传统IGBT难以实现的新型PFC（功率因数校正）拓扑。本文将深入解析工业充电器的PFC级设计策略，助您精准选型。
2025-08-18
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电源架构设计智能化革命：ADI三驾马车如何重塑开发范式
在电子系统功耗管理日益复杂的背景下，电源架构设计正经历从经验驱动到工具赋能的范式转移。全球模拟半导体巨头ADI公司推出的LT工具链（LTspice/LTpowerCAD/LTpowerPlanner），构建了覆盖电路仿真、参数优化到系统规划的全流程解决方案。这套工具链正在改变工程师设计电源系统的基本逻辑，将传统耗时数周的设计周期压缩至小时级精度迭代。
2025-08-18
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X-HBM架构横空出世：AI芯片内存技术的革命性突破
在AI算力需求呈指数级增长的今天，内存带宽已成为制约大模型发展的关键瓶颈。NEO Semiconductor最新发布的X-HBM架构，以其32K位总线和单芯片512Gbit容量的惊人规格，一举突破传统HBM技术的物理限制，为下一代AI芯片提供了高达16倍带宽和10倍密度的内存解决方案，这标志着AI硬件发展进入全新阶段。
2025-08-12
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DIC EXPO 2025国际（上海）显示技术及应用创新展盛大开幕！
全球显示产业界翘首以盼的年度盛会——DIC EXPO 2025国际（上海）显示技术及应用创新展今日在上海新国际博览中心隆重开幕！本届展会由中国光学光电子行业协会液晶分会（CODA）主办，上海励程展览有限公司承办，以“AI·显示 再谋新篇“为主题，汇聚全球显示产业精英，共同见证新时代显示技术的创新突破与产业发展的崭新篇章。
2025-08-11
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800V高压平台突围！安森美碳化硅技术赋能小米YU7性能跃升
安森美宣布，其基于EliteSiC M3e技术打造的800V高压驱动平台已应用于小米汽车旗下YU7电动SUV部分车型。该平台凭借高性能碳化硅（SiC）技术，可助力电动汽车制造商优化牵引系统设计，实现更紧凑、轻量化及高可靠性的动力解决方案。
2025-08-04
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