- 压电电阻式
- 低成本
- 减小芯片面积
- 低价格
- 可用于血压计
采用1.4mm见方压力传感器的模块。封装尺寸为7.0mm×7.0mm×6.1mm。
该公司为了减小压力传感器的芯片面积，采用了高速硅深度蚀刻（Deep RIE：Deep Reactive Ion Etching，深度反应离子蚀刻）装置。通过日本千岁业务所（北海道）的150mm晶圆生产线制造。
采用Deep RIE可以减小芯片面积的理由是，几乎可以垂直对硅进行深度蚀刻。能够垂直形成在压力检测用隔（Diaphragm）下面形成的空洞截面结构。而一般情况下是通过利用硅表面结晶各向异性的湿式蚀刻是在倾斜方向上进行深度蚀刻的，空洞的截面形状会形成隔膜侧边长较短的梯形。由于必须要宽阔地设计作为蚀刻基点的芯片底边面积，因此难以减小芯片面积。
不过，如果在压电电阻式压力传感器的制造过程中采用Deep RIE的话，很有可能会成为制造成本上升的因素。原因是装置价格在几千万～1亿日元之间，大幅高于采用湿式蚀刻的方法。另外，为了进行高精度加工，需要使用价格为硅晶圆2倍以上的SOI（Silicon On Insulator）晶圆。采用SOI晶圆的原因是为了在空洞形成时将氧化膜层作为蚀刻停止层使用，从而确保蚀刻的面内均匀性。
至于采用Deep RIE和SOI还可以降低成本的原因，该公司指出除了芯片面积的小型化以外，还包括采用了在功率半导体等的量产中表现出色的高再现性和可靠性生产线，因此成品率高于竞争企业。另外该公司还强调指出，由于自制了信号处理IC，因此即使芯片单体的成本竞争力降低，压力传感器模块仍然可以保持较高的成本竞争力。
