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利用单片机实现复杂的分立逻辑
开发人员可利用PIC16F13145系列单片机中的可配置逻辑模块（CLB）外设实现硬件中复杂的分立逻辑功能，从而精简物料清单（BOM）并开发定制专用逻辑。
2024-11-05
单片机 分立逻辑
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实时控制技术如何实现可靠且可扩展的高压设计
随着功率水平需求的提升和现代电源系统的日趋复杂，对高压系统的需求也发生了重大变化。为了有效满足这些需求，有必要采用实时 MCU 或数字电源控制器来控制先进的电源拓扑，通过这些出色的拓扑来同时满足精细的规格和各种电源要求。本文将讨论数字电源控制在高压应用中的一些优势，并演示其如何助力...
2024-11-05
高压系统 电力电子设备 实时控制技术
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我的热插拔控制器电路为何会振荡？
使用高端N沟道MOSFET (NFET)的热插拔控制器，浪涌抑制器、电子保险丝和理想二极管控制器，在启动和电压/电流调节期间可能会发生振荡。数据手册通常会简要提到这个问题，并建议添加一个小栅极电阻来解决。然而，如果不清楚振荡的根本原因，设计人员就可能难以在布局中妥善放置栅极电阻，使电路容易受...
2024-11-04
热插拔 控制器电路 振荡
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为恶劣工业环境中的以太网安装保驾护航
如今，“工业以太网”一词使用非常频繁，以至于人们很容易混淆，并开始认为它一定与消费和计算设备中使用的以太网有所不同。本博文旨在回顾这种网络技术的演变，并解释消费以太网和工业以太网的区别。本文还介绍Nexperia的一系列器件，这些器件可用于保护以太网网络免受静电放电(ESD)的破坏性影响，无...
2024-11-04
以太网 工业环境
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第8讲：SiC外延生长技术
SiC外延生长技术是SiC功率器件制备的核心技术之一，外延质量直接影响SiC器件的性能。目前应用较多的SiC外延生长方法是化学气相沉积（CVD），本文简要介绍其生产过程及注意事项。
2024-11-04
SiC 外延生长技术
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二极管的单向导电性和伏安特性曲线说明
二极管的正、反向特性与生活中的开门类似:当你从室外推门(门是室内开的)时，如果力很小，门是推不开的，只有力气较大时，门才能被推开，这与二极管加正向电压,只有达到门电压才能导通相似;当你从室内往外推门时，是很难推开的，但如果推门的力气非常大，门也会被推开，不过门被开的同时一般也就损坏...
2024-11-04
二极管 向导电性 伏安特性
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如何使用GaNFET设计四开关降压－升压DC－DC转换器？
在不断追求减小电路板尺寸和提高效率的征途中，氮化镓场效应晶体管(GaNFET)功率器件已成为破解目前难题的理想选择。GaN是一项新兴技术，有望进一步提高功率、开关速度以及降低开关损耗。这些优势让功率密度更高的解决方案成为可能。
2024-11-04
GaNFET DC－DC转换器 降压 升压
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