我的热插拔控制器电路为何会振荡？

使用高端N沟道MOSFET (NFET)的热插拔控制器，浪涌抑制器、电子保险丝和理想二极管控制器，在启动和电压/电流调节期间可能会发生振荡。数据手册通常会简要提到这个问题，并建议添加一个小栅极电阻来解决。然而，如果不清楚振荡的根本原因，设计人员就可能难以在布局中妥善放置栅极电阻，使电路容易受...

2024-11-04

热插拔  控制器电路  振荡

为恶劣工业环境中的以太网安装保驾护航

如今，“工业以太网”一词使用非常频繁，以至于人们很容易混淆，并开始认为它一定与消费和计算设备中使用的以太网有所不同。本博文旨在回顾这种网络技术的演变，并解释消费以太网和工业以太网的区别。本文还介绍Nexperia的一系列器件，这些器件可用于保护以太网网络免受静电放电(ESD)的破坏性影响，无...

2024-11-04

以太网  工业环境

第8讲：SiC外延生长技术

SiC外延生长技术是SiC功率器件制备的核心技术之一，外延质量直接影响SiC器件的性能。目前应用较多的SiC外延生长方法是化学气相沉积（CVD），本文简要介绍其生产过程及注意事项。

2024-11-04

SiC  外延生长技术

二极管的单向导电性和伏安特性曲线说明

二极管的正、反向特性与生活中的开门类似:当你从室外推门(门是室内开的)时，如果力很小，门是推不开的，只有力气较大时，门才能被推开，这与二极管加正向电压,只有达到门电压才能导通相似;当你从室内往外推门时，是很难推开的，但如果推门的力气非常大，门也会被推开，不过门被开的同时一般也就损坏...

2024-11-04

二极管  向导电性  伏安特性

如何使用GaNFET设计四开关降压－升压DC－DC转换器？

在不断追求减小电路板尺寸和提高效率的征途中，氮化镓场效应晶体管(GaNFET)功率器件已成为破解目前难题的理想选择。GaN是一项新兴技术，有望进一步提高功率、开关速度以及降低开关损耗。这些优势让功率密度更高的解决方案成为可能。

2024-11-04

GaNFET  DC－DC转换器  降压  升压

优化SPI驱动程序的几种不同方法

随着技术的进步，低功耗物联网(IoT)和边缘/云计算需要更精确的数据传输。图1展示的无线监测系统是一个带有24位模数转换器(ADC)的高精度数据采集系统。在此我们通常会遇到这样一个问题，即微控制单元(MCU)能否为数据转换器提供高速的串行接口。

2024-11-01

SPI驱动程序

汇聚智造大咖，共探智能工业未来 AMTS & AHTE SOUTH CHINA 2024亮点全揭秘！

倒计时两天！备受瞩目的AMTS & AHTE South China 2024即将于2024年11月6日在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大开幕！为期三天，六展联袂，3,500+展商，140,000㎡面积，15万+观众，邀您一同解锁这场华南地区汽车技术、工程及工业装配行业盛宴！

2024-11-01