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技术文章

新型带扩展功能功率因数控制器参数可视化存储及处理

TDK新推出两款BR7000系列新型功率因数控制器。其中BR7000-T控制器专为应用于快速投切操作的EPCOS动态晶闸管模块而设计，而TDK新产品BR7000-I控制器配置了RS485接口，通过RS485接口与PC机连接，实现嵌入网络、控制器耦合以及数据读取。

2013-05-16

控制器 BR7000 功率因数 TDK

孰优孰劣:氮化镓场效应晶体管VS硅功率器件?

工程师常常认为当应用需要更高电压时，使用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在性能方面才更具优势。但是，如果只是考虑开关品质因数，相比先进的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的优势好像减弱了。GaN场效应晶体管与硅功率器件中低压降压转换器应用中的性能到底怎样？且听本文细细分解。

2013-05-16

氮化镓场效应晶体管硅功率器件

仅有120ns最大传播延迟的门驱动光电耦合器

近日，Avago Technologies推出二组新高速门驱动光电耦合器产品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，这些器件在设计上为用来保护和驱动功率MOSFET或碳化硅MOSFET的1A和2.5A门驱动光电耦合器，适合如变频器、电机控制和开关电源(SPS)等高频率应用。相较于Avago前一代产品，ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在传播延迟...

2013-05-15

光电耦合器传播延迟

Vicor零电压DCDC转换器挑战环境严苛、空间受限应用

Vicor扩展Picor旗下的隔离式Cool-Power ZVS DC-DC转换器，提供高密度 (334 W/in3) 方案。该转换器连接QuietPower有原EMI滤波器, 将进一步提升整个的模块式方案的性能,适合严苛的，空间受限的工业和航空、国防应用。

2013-05-15

转换器电源滤波器 Vicor

电源转换新时代的来临：IR开始商业装运GaN器件

IR在业内率先商业付运可大幅提高现有电源转换系统效率的GaN功率器件，预示着电源效率革命性改善新时代的到来。相比当今最先进的硅功率器件技术，氮化镓技术平台能够将客户的电源应用的性能指数(FOM)提升10倍。

2013-05-15

IR GaN 电源转换

硅功率MOSFET前景堪忧？

30年前硅功率MOSFET的出现使市场快速接受开关电源，硅功率MOSFET成为很多应用的必选功率器件。近些年来，MOSFET不可避免地进入到性能瓶颈期；然而与此同时，增强型GaN HEMT器件在开关性能和整个器件带宽有突破性改善，迅速占领市场。硅功率MOSFET在电源转换领域的发展已经走到尽头了吗？

2013-05-15

MOSFET 电源转换 GaN

实例讲解：基于LTM4620的电源稳压器设计

设计师都希望能够找到准确和能在低电压提供大的负载电流同时占用很少系统电路板空间的电源解决方案。本文介绍的一种新的高密度和可扩展的 LTM4620 微型模块稳压器，具备卓越的电气性能、低功率损耗和独特的耐热增强型封装设计，可帮助克服高功率密度挑战。

2013-05-15

稳压器电源稳压器 LTM4620 Linear

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