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专用 DC／DC 转换器应对铁路供电的独特挑战
现代铁路系统中的车载电子设备越来越多，例如乘客互联网接入点、卫星链路、对讲机和公共广播 (PA) 系统、导航子系统、应急无线电设备、告示牌、LED 照明系统、信息系统、座椅充电插座和其他配件。另外还有电池充电子系统，因为在瞬时断电或长时间断电时，很多功能还需要供电。所有这些功能都有独特...
2023-11-12
DC／DC 转换器 铁路供电
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让电动汽车延长5%里程的SiC主驱逆变器
本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 将电动汽车的续航里程延长多达 5%。另外，文中还讨论了为什么一些原始设备制造商 (OEM) 不愿意从硅基绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 过渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 为缓解 OEM 的担忧同时提升 OEM 对这种成...
2023-11-12
SiC 逆变器 电动汽车
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能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块
随着全球对可再生能源的日益关注以及对效率的需求，高效率，高可靠性成为功率电子产业不断前行的关键。Nexperia（安世半导体）的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力，实现更高的电流密度和系统可靠性。
2023-11-12
IGBT模块 马达驱动 应用
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专为智能汽车车身域打造的直流有刷栅极驱动IC
TMI8721-Q1是一颗驱动外部4个N沟通MOSFET的单通道全桥栅极驱动芯片。优秀的驱动能力，使其可驱动大部分MOSFET，特别适用于汽车座椅自动调节，后尾门撑杆，玻璃升降、天窗、遮阳帘、门窗、方向盘调节、侧滑门、电动踏板等电流偏大的场合。
2023-11-12
智能汽车 车身域 栅极驱动
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压...
2023-11-12
SiC MOSFET 器件特性
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了解 MOSFET 通态漏源电阻
分立 MOSFET 数据表中重要的规格之一是漏源通态电阻，缩写为 R DS (on)。这个 R DS (on)想法看起来非常简单：当 FET 处于截止状态时，源极和漏极之间的电阻非常高，以至于我们假设电流为零。当 FET 的栅源电压 (V GS ) 超过阈值电压 (V TH ) 时，它处于“导通状态”，漏极和源极通过电阻等于 R DS(on)...
2023-11-11
MOSFET 通态漏源电阻
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中国电信韦乐平：光通信发展的新趋势思考
近日，在“中国电信战新共链行动大会暨第三届科技节”之“面向云网融合的下一代光网络新技术论坛”上，中国电信集团科技委主任韦乐平发表主题演讲。
2023-11-11
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